Andrei Radulescu - Electroterapia [PDF]

Zitiervorschau

Dr. Andrei Rădulescu Colaborator: Ing. Marion Burtan

ELECTR O TERAPIE Ediţia a Il-a refăcută şi adăugită

EDITtlUA MKDICAIÂ S./V.

nr

Coperta de: ADRIAN CONSTANTINESCU

l'1 „Toate drepturile editoriale aparţin în exclusivitate Editurii iMicu|i:i este marcă înregistrată a Editurii Medicale, fiind protejaţii jnlj r i'-luţiii internă şi internaţională. Orice valorificare a conţinutului în uliifAl < ior Icni şi :> permisiunii editorilor este interzisă şi pasibilă de pcdcupi • in i'sic valabil pentru orice reproducere - integrală sau parţială, imllf»M ,gUnice (multiplicări, traduceri, microfllmări, transcrieri pe dischete eU )"

ISBN 973-39-0516-X

«UI «00:

ÎNAINTE LA EDIŢIA i 'lahnrârUprezentei monografii este determinată de cunoaşterea de penuria de tratate şi materiale documentare de nu atâta nevoie cadrele medicale - în primul rând cele l fhioterapiei. Sporadic şi parţial, mai sunt consultate subiecte limitate - sau prospectele unor aparate de y/ publicării acestei cărţi este aducerea la cunoştinţa t'ltir nuil acceptate şi actuale date din acest domeniu, date rezultate i Htn unor numeroase experimentări, fapte de observaţie, constatări f acţiune, efectele, tehnicile de aplicare ale diverselor proceduri i3, /»/*•( -uni y i unele realizări româneşti teoretice şi practice în 4 o tixemenea monografie trebuia de mult realizată şi prezentată i/i» Interesate, dar reţinerea de a o scrie a constituit-o mai ales n hine cunoscută de cei ce au elaborat o lucrare sau un tratat de • i K i 'onccpe cu omogenitate, cursivitate, coerenţă, claritate, sinteză ii ne facem o datorie faţă de munca desfăşurată de-a lungul anilor ihimte profesională de mulţi cercetători şi clinicieni ai Institutului i nple, înfăţişând unele rezultate ale cercetărilor lor experimentale n i 'ontrihuit la dezvoltarea, progresul şi lărgirea ariilor de aplicaţie Hc< 'unoscute colegilor mai tineri din diferite specialităţi medicale, nlul mediei frecvenţe şi a câmpurilor magnetice de joasă frecvenţă. e faţa se fac comentarii şi referiri privind caracteristicile generale Ittctrici şi modul de acţiune ce decurge din acestea; am omis cu * rli'rca diferitelor modalităţi de aplicare pe care le oferă anumite le aparate de electroterapie, aspecte pe care le prezintă prospectele iniile de utilizare ale aparatelor respective. Pe de altă parte, nu am a nuni deliberat - unele domenii de utilizare medicală a curentului • uni şocul electric de resuscitare cardiacă, electrosomnul, anestezia !> tntcoagularea şi bisturiul electric, care aparţin altor specialităţi »»M fac obiectul fizioterapiei.

Ţin să aduc mulţumiri Prof. dr. Nicolae Teleki pentru sprijinul ari»* îndrumările primite, dr. Viorel Andrieş -primul meu mentor în acest domeniu Mircea Popescu, arh. Mihail Stănescu, dr. Alexandru Stoica şi asist. Mircea Hi j care m-au ajutat într-unfel sau altul la realizarea lucrării. Mulţumesc în mod deosebit prietenului şi colaboratorului meu - in Burlan, pentru înţelegerea, interesul şi străduinţa dovedite la elafwt Importantului capitol care tratează noţiunile de electronică, domeniu jâră *^f ( nu se putea dezvolta electroterapia. ojvci ••*»'•

iwar: ;

VW. ',

,'11! V. l'1

o BO \-

 NT ÎNAINTE LA EDIŢIA A DOUA lifii' a tratatului de ELECTROTERAPIE, precum şi continuarea de >t Editura Medicală în anii 1990 şi 1993 s-au epuizat într-un interdin librării s-a resimţit, fiind căutat şi solicitat mai ales de •w. medici de specialitate şi asistente formaţi în ultimii 8-10 ani. i 'iun este şi firesc, în ultimii 10-15 ani au apărut noi date şi elemente tiiiiH-niulelectroterapiei, care, din varii motive, nu sunt la îndemâna i, ne-am decis să publicăm o nouă ediţie. un capitol suplimentar care cuprinde şi prezintă cele mai noutăţi şi puneri la punct din domeniu. Dr. ANDREI RÂDULESCU

j t î II ?rMi af

—

>•

3

S-

C^

CUPRINS •litiu l .............................................................................................

• dom ....................................................................................

3

5 7 13

|i •

iinli-1 (ing. Marion Burlan) ...................................................................... c. lichipamente electronice ....................................................... pasive..................................................................................... • Unificare. Caracteristici principale .................................................. n r ('liuiificare. Caracteristici principale ........................................... •lir e Clasificare. Caracteristici principale ........................................ »itie ţi tocuri de alimentare .............................................................. miile pasive ...................................................................................... •urnire active ..................................................................................... "\tH nnupra tuburilor electronice ...................................................... ui electronic. Emisia electronică. Mişcarea electronilor ................... iln i u vid .......................................................................................... IM Structura unei diode cu vid...................................................... l }}..• rlri'lronice semiconductoare.............................................................. n»c li/.ice în dispozitivele electronice semiconductoare. Noţiuni de . H Blumului........................................................................................ nliiclibilitatea electrică în materialele semiconductoare ...................... (lunca pn .......................................................................................... du semiconductoare ........................................................................... | ,1 ,' -l I. Alte tipuri de diode ................................................................. |,J J •! 2. Scheme de utilizare ale diodei semiconductoare ...................... Itan/isiorul bipolar ................................................................................. l 1 ,' •* l. Construcţie şi funcţionare ....................................................... M •' "> '. Polarizarea tranzistorului bipolar............................................. l i i 'i V Principalele utilizări ale tranzistorului ...................................... Mlipnzitivc semiconductoare speciale .................................................... l. J.2,6.1. Tranzistori unipolari cu efect de câmp...................................... 1.1.2.6.2. Tiristorul ................................................................................. 1.1.2.6.3. Triacul..................................................................................... 1.1.2.6.4. Diacul .....................................................................................

15 15 18 18 22 25 26 28 29 29 29 31 31 32 32 33 37 37 39 40 42 47 47 48 49 50 52 53 55 55 57 58 64 64 65 66 67

i i,J,T, DUporllIve fi)iog|fclrlce »l opicicloclrlci l 1,2.8. Circuite Integrate, No|iunl generale. Claiillcare ................................ l -t Sdicnm generali a unul aparat de curenţi cxcito-molori. Circuitele electronice coniponcnlc ............................................................................................................. ll»/rk 11/lolonlcT generale ale elvctroterapici ............................................................... II. l. 1'oiiMiţialul dc repaus (potenţialul de membrană).............................................................. 11.2. Potenţialul de acţiune ........................................................................................................ 11.2.1. Dcpolari/rarca ....................................................................................................

11.2.2. Rcpolarizarea ........................................................................................................... 11.2.3. Restituţia (refacerea potenţialului de repaus) .............................................i....'...1:..'" II, .1. Stimularea si excitabilitatea .......................................................................................... JÂ.UI

VI

11.4. Elcdrotonusul ............................................................................................................ „>,,, 91

11.5. l.egca excitabilităţii polare ..................................................................................... .,. 9| 11.6. Blementclc de caracterizare ale excitanţilor ele ctrici care condiţionează atingerea pragului critic al membranei celulare ..................................................................... ;!.'" ' 99 11.7. Acomodarea. Panta impulsului de excitaţie ............................................................. !,~ IOJ I I . K. lrrecvenţa stimulilor ................................................................................................. HM II.'). Modificări ale excitabilităţii .................................................................................... '.'.. 101 11.10. Transmiterea şi conducerea excitaţiei ...................................................................... 104 11.11. Transmiterea neuromusculară .............................................................................. ,..( l Oft f\ \. Curentul galvanic (continuu) .................................................................................... .'.,. IO1' III. 1. Proprietăţi fizice. Metode de producere a curentului continuu .................................... 111.2. Aparatura pentru curent continuu ............................................................................ 111.3. Acţiunile biologice ale curentului galvanic .............................................................. 111.3.1. Migrarea ionilor. Electroliza biologică. lonoforeza. Electroforeza. Electro osmoza ...................................................................................................... 111.3.2. Rezistivitatea tisulară la curent (Rezistenţa ohmică) ....................................... 111.3.3. Polarizarea tisulară prin curent galvanic. Depolarizarea ................................ I I I -l Ulcelele fiziologice ale curentului galvanic ............................................................. III.4. l. Acţiunea asupra fibrelor nervoase senzitive .................................................. 111.4.2. Acţiunea asupra fibrelor nervoase motorii .................................................... 111.4.3. Acţiunea asupra sistemului nervos central .................................................... 111.4.4. Acţiunea asupra fibrelor vegetative vasomotorii ........................................... 111.4.5. Acţiunea asupra sistemului neurovegetativ .................................................. 111.4.6. Influenţa sistemului circulator ..................................................................... I I I '' Modalităţi de aplicare ale galvanizărilor ................................................................... 111.5.1. Galvanizarea simplă ................................................................................... I I I . 5.1.1. Tehnica de aplicaţie a galvanizării ................................................. 111.5.2. Băile galvanice ........................................................................................... 1II.5.2.1. Băile galvanice patru-celulare ....................................................... 111.5.2.2. Băile galvanice generale (Stanger) ................................................. 111.5.3. lontoforeza (ionogalvanizările) .................................................................... 111.5.3. l. Factorii care influenţează pătrunderea în tegument şi străbaterea ţesuturilor a ionilor din substanţele chimice farmaceutic e prin me toda galvanizării .......................................................................... 111.5.3.2. Diferite substanţe folosite în ionogalvanizări .................................. 111.5.3.3. Tehnica de aplicaţie a iontoforezei ................................................. 111,6. Indlcafiilc $i contraindicaţiile galvanoterapiei ..........................................................

10') 11,' 11 l lM l Ift 117 11') 11•) 120 120 121 121 121 122 122 127 12X 12S 129 130

132 134 136 137

•MM iln JUNIA rnwvfiH* KilMAjI l'rnprlclAtl ll/ici- ...............................................

.... MÎV ............................

139

i hi prin curenţi (k jonsrt l'recvcnţn .......................................................................................

142

1

Nllimiliircii c«nlnic|ici inusculaliirii striate normoinervate ....................................

142

IV.2.1.1. Mod de acţiune ................................................................................ l V.2. l .2. Forme de curenţi utilizate ................................................................. IV.2.1.3. Indicaţii ............................................................................................ IV.2.1.4. Forme de aplicare ............................................................................. IV.2.1.5. Tehnica de aplicare............................................................................ i ' Terapia musculaturii total denervate ................................................................. IV.2.2.1. Mod de acţiune ................................................................................. IV.2.2.2. Forme de curenţi............................................................................... 1V.2.2.3. Electrodiagnosticul. Diagnosticul prin electrostinmlare..................... IV.2.2.4. Tehnica de aplicare a electrostimulării ............................................... IV? V Terapia musculaturii spastice ........................................................................... IV.2.3.1. Principiul metodei ............................................................................ IV.2.3.2. Indicaţiile metodei ............................................................................ l V.2.3.3. Tehnica de lucru ............................................................................... IV 2.4. Stimularea contracţiei musculaturii netede ....................................................... IV.2.V Aplicaţii cu scop analgetic ale curenţilor de joasă frecvenţă.............................. IV.2.5.1. Mod de acţiune................................................................................. IV.2.5.2. Metode analgetice „convenţionale" din domeniul frecvenţelor joase IV.2.5.2.1. Curenţii diadinamici ........................................................ IV.2.5.2.2. Curenţii Trăbert ............................................................... IV.2.5.2.3. Curenţii stohastici ............................................................ IV.2.5.2.4. Stimularea nervoasă electrică transcutană ......................... IV.2.5.2.5. Electropunctura ............................................................... IV.2.6. Aparatura generatoare de impulsuri de joasă frecvenţă ..................................... l Jcctromiografia de detecţie. Noţiuni generale ........................................................... K incuri, contraindicaţii şi măsuri generale de precauţie în aplicaţiile curenţilor de joasă lu-cvcnţă......................................................................................................................

142 142 143 144 145 146 146 146 147 153 155 155 157 157 159 160 160 164 164 168 169 170 173 174 175

lunile curenţilor de medie frecvenţă (MF) ...................................................................

179

178

\i ţiunile biologice ale curenţilor de MF ....................................................................... 179 i'pincipalele efecte fiziologice ale curenţilor de MF ....................................................... 181 i'nsibilităţile de aplicare a curenţilor de MF .................................................................. 181 V.3.1. în scop diagnostic .............................................................................................. 181 V.3.2. în scop terapeutic............................................................................................... 182 V.3.2.1. Procedeul de aplicaţie cu un singur curent de MF modulat ................... 182 V.3.2.2. Procedeul prin curent interferenţial după Nemec.................................... 184 V.3.2.2.1. Particularităţile fizice ale curenţilor interferenţiali ............. 184 V,3.2.2.2. Variantele modulaţiilor de frecvenţă aplicabile cu curenţii interferenţiali........................................................................ 187 V.3.2.2.3. Modalităţile de aplicare şi perfecţionarea progresivă a acestora 188 V.3.2.2.4. Tehnicile de aplicaţie ale curenţilor interferenţiali ................ 191 V.3.2.2.5. Aparate de curenţi interferenţiali ........................................... 191 V.3.2.2.6. Principalele efecte fiziologice ale curenţilor interferenţiali..... 194 V.3.2.2.7. Indicaţiile şi contraindicaţiile terapeutice ale curenţilor inter ferenţiali ................................................................................................ 199 V.3.2.2.8. Tehnici de utilizare ale unor aparate cu curenţi interferen ţiali ....................................................................................... 203

l'lfcripta cu lunii* frMVMfl ...

................

n\

• :VI,l,I)enni|ir ('iHitfluNre .................................................. „.......................................... 211 VI,2, Modul de producere • curenţilor de înaltă frecvenţi In icup tcmpcuia ..................... 211 VI,3, Apimiiclc de unde scurte .......................................................................................... 21J VI,4. Pioprietăţile l*i/.ice ale curenţilor de înaltă frecventă .................................................. 214 VI.5, Undele scurte............................................................................................................ 21.1 VI,5. l. Proprietăţile fiziologice ale undelor scurte................................................... 21S V1.5. l. l. Particularităţile curenţilor de înaltă frecvenţă şi principalele acţiuni biologice şi fiziologice ale acestora ............................................. 2IS VI.5.1.1.1. Modul de acţiune în intimitatea tisulară...................... 216 VI.5.1.1.2. Acţiunea fiziologică a efectului caloric ..................... 217 VI.5.2. Modalităţi de aplicaţie ale undelor scurte..................................................... 218 VI.5.2.1. Metoda în câmp condensator ....................................................... 218 VI.5.2.2. Metoda în câmp inductor ............................................................. 221 VI.5.3. Tehnica şi metodologia terapiei cu unde scurte............................................. 222 VI.5.3.1. Alegerea şi utilizarea electrozilor ................................................. 222 VI.5.3.2. Dozarea intensităţii câmpului de unde scurte ............................... 223 VI.5.3.3. Recomandări şi reguli de care trebuie să se ţină seama la aplica ţiile de unde scurte....................................................................... 22J VI.5.4. Indicaţiile terapiei cu unde scurte ................................................................. 227 VI.5.5. Principalele contraindicaţii ale terapiei cu unde scurte ................................. 22') VI.6. Terapia cu înaltă frecvenţă pulsatilă ........................................................................... 22'> VI.6.1. Modul de acţiune ......................................................................................... 231 VI.6.2. Efecte pe verigile fiziopatologice ................................................................ 232 VI.6.3. Indicaţiile terapeutice................................................................................... 232 VI.6.4. Datele principale ale metodologiei de aplicaţie cu Diapulse......................... 234 VI.6.5. Principalele avantaje ale utilizării terapeutice a aparatului Diapulse ............ 234 VI.7. Undele decimetrice .................................................................................................. 235 VI.7.1. Acţiunea şi efectele biologice şi fiziologice ale undelor decimetrice ............. 236 VI.7.2. Modele de emiţătoare utilizate în aplicaţiile cu unde decimetrice ................ 237 VI.7.3. Tehnica de aplicaţie ..................................................................................... 238 VI.7.4. Indicaţiile tratamentelor de unde decimetrice ................................................ 239 VI.7.5. Contraindicaţii............................................................................................. 239 VI.8. Principalele caracteristici distinctive între undele scurte şi undele decimetrice ......... 240 / I I Terapia cu ultrasunete ...................................................................................................

241

VIU. Proprietăţi fizice...................................................................................................... VII.2. Forme de ultrasunete utilizate în terapie ................................................................. VII.2. l. Ultrasunetul în câmp continuu ................................................................... VII.2.2. Ultrasunetul în câmp discontinuu ............................................................... VII,3. hfcele fi/,ico-chimice ale undelor ultrasonore ......................................................... VII,4, Mecanisme de producere a undelor ultrasonore ...................................................... VII.5. Apiirulu pentru ultrasonoterapie .............................................................................. VII,ft, Ac|iunilc biologice ale ultrasunetelor ...................................................................... VII,7. liltTlelc li/iologiec ale ultrasunetelor .................................................................... VII,K Metodologia aplicaţiilor cu ultrasunete ................................................................... VII,H, l, Alegerea formei de cuplaj ......................................................................... VII,8,2, Alrucrcu formei de ultrasunet ...................................................................

241 242 242 242 243 244 245 247 248 250 250 252

VII,M,î. Ali'iieriw Irmliiciorului .,.. 233 VII H,4. Miinovriircii Iruducloriilui .................................................................... 254 VII H.3. Do/iireo inlcnsilflţii. Principii de do/.urc ..................................................... VII N,ft, Sliihilirca metodologici de tratament în funcţie de natura ţesuturilor tratate Irlniini aplicaţiilor cu ultrasunete ........................................................................... i Irmpia combinat;! ultrasunet cu diadinamici ........................................................ Indicaţiile tratamentului cu ultrasunete ................................................................. < 'ontrnmdicaţiilc ultrasonoterapiei ........................................................................

254 255 256 257 259 264

n>lt'.\it>ntile, utili/iitu în industrie, în Inboiatoaicle de ccrcuUln. i. Iu tehnica de culcul, în aviaţia civila si liota maritimă, în forţele urmate ui categorie de echipamente, în marca majoritate a cazurilor, reprezintă M (n complexe realizate în serii mici;

a liipnnu'ntc de larg consum din categoria cărora fac parte receptoarele de i Irlevi/.iunc, magnetofoane şi alte echipamente care sunt destinate pentru l u populaţiei. i condiţiile de exploatare, echipamentele se clasifică în: echipamente .1 echipamente destinate să funcţioneze pe mijloace mobile. , isil'icarc a principalelor tipuri de echipamente electronice se prezintă iipiirnturu de larg consum, aparatura medicală, echipamente de telecomuni-'•Iiipumente de bord, echipamente industriale, echipamente cu utilizări i», aparatură de măsură şi control, echipamente de tehnică de calcul. ; n domeniul echipamentelor electronice se pun trei probleme de bază pe care miorii de echipamente trebuie să le rezolve: fabricaţia de aparate şi • uMile care să contribuie la creşterea productivităţii muncii, creşterea siguranţei liuiiarea şi reducerea gabaritelor. l oale aceste deziderate se rezolvă prin utilizarea mijloacelor oferite de ' ronică. De exemplu, folosirea circuitelor integrate reduce numărul total > cutelor schemelor de sute de ori, contribuind prin aceasta la scăderea la montaj, la reducerea gabaritului echipamentului şi la creşterea >i i în funcţionare. •i > spunzător ultimelor două etape de evoluţie a microelectronicii (circuitele ..i subsistemele/sistemele integrate) s-au dezvoltat şi se dezvoltă categorii i le tehnici în cadrul echipamentelor şi anume: 1) corespunzător etapei fini integrate s-au asimilat tehnicile de interconectare a componentelor >mce pe suport placat multistrat, s-au perfecţionat metodele de realizare a micuţelor şi s-au unificat schemele şi 2) corespunzător etapei actuale de linie a microelectronicii s-a realizat apropierea între constructorii de subi' / sisteme integrate (în general constructori de componente electronice) şi ui-1 orii de echipamente electronice, astfel încât de acum asistăm la o uure a celor două specialităţi. In cele ce urmează vom prezenta unele din cele mai importante componente mice. Se prezintă sumar definiţii şi simboluri grafice, clasificări şi caractel'iincipale, construcţii şi tehnologie, scheme electronice ce le conţin (atingem •,\ domeniul echipamentelor electronice - aparatura) şi detalii de funcţionare, n ca cititorul şi în special utilizatorul să le cunoască într-o măsură mai mare i uiintcle funcţionale. Spaţiul limitat nu ne îngăduie o tratare mai complexă şi r n cititorul interesat esi^ îndrumat spre câteva lucrări cu specific de electronică ilnte în bibliografie. > liotcrupie

II

Electroterapir

1.2. COMPONENTE ELECTRONICE PASIVE 1.2. l REZISTOARE. CLASIFICARE. CARACTERISTICI PRINCIPALE Rezistorul este componenta electronică de circuit cu două borne, care arc proprietatea potrivit căreia între tensiunea la bornele lui şi curentul care-1 parcurge, există relaţia cunoscută sub denumirea de legea lui Ohm: U = RI unde R este mărimea rezistenţei rezistorului măsurat în Ohmi (Q). Se menţionează că, în mod curent, în practică, în locul denumirii de rezistOf se foloseşte denumirea de rezistenţă. Relaţia de definiţie a rezistenţei electrice este: ~

U

în care: U este diferenţa de potenţial (tensiune) constantă continuă aplicată Iu capetele rezistorului; I = curentul constant ce străbate rezistorul. în fig. l este reprezentată caracteristica „tensiune-curent" corespunzătoare relaţiei de mai sus. Această caracteristică este o linie dreaptă ce trece prin origineii axelor de coordonate: panta acestei drepte este egală cu — . Rezistorul care arc o R caracteristică „tensiune-curent" linie dreaptă se numeşte rezistor liniar. în fig. 2 sunt prezentate simbolurile grafice pentru rezistoare. Rezistoardt de diverse tipuri şi construcţii pot fi grupate în funcţie de caracteristicile lui principale. După caracteristica tensiune-curent se deosebesc două categorii i!0 rc/istor: rezistoare liniare, din care fac parte atât rezistoarele cu rezistenţă fixă cal şl rc/isloarclc cu rezistenţă reglabilă care au caracteristica „tensiune-curent" liniarft; U Al PANTA 1/R

,l

CHIU'

II „tCIlNUIIIC-

Fix

iK'iiiiu ic/.i»lo«rc M /i

i^fUtar ou ui i i

l/'""/ dt tlectronică

19

re/.istoare neliniare, din care fac parte rezistoarele cu caracteristica „ten• uicnt" neliniară (termorezistoarele, fotorezistoarele). După modul constructiv, rezistoarele se împart în două subfamilii: re/istoare cu rezistenţă fixă: sunt rezistoare la care valoarea rezistenţei se •/Ic în procesul de fabricaţie şi rămâne constantă pe întreaga lor durată de unire; i e/.istoare cu rezistenţă reglabilă: sunt rezistoare a căror construcţie permite i urca valorii rezistenţei, în limite stabilite, prin deplasarea pe elementul i u unui contact. >upă modul de realizare a elementului rezistiv se disting trei categorii de >iiic: i'c/.istoare bobinate. Sunt construite prin înfăşurarea unui fir metalic (con-I tic mare rezistivitate pe un suport izolator; rc/.istoare cu pelicule. Au elementul rezistiv format dintr-o peliculă subţire •loriul conductor depusă pe un suport izolant. Peliculele pot fi din carbon, ihon, din metale, oxizi metalici sau materiale semiconductoare; i c/.istoare de volum. Au elementul rezistiv construit din întregul corp al u ului. Elementul conductor este realizat dintr-un amestec neomogen al mai i omponente, din care una este componentă conductoare. i' i , isloarele se clasifică după modul de protejare al elementului conductor în: ir/istoare neprotejate; nv.istoare protejate cu lac; i«v.istoare protejate în materiale plastice; ic/istoare ermetizate. l hi|)A destinaţie se împart în: rezistoare de uz general şi rezistoare speciale mmilc). i -.(oarele de uz general se folosesc în aparatura electronică de uz general ptoare, televizoare etc.), unde nu se cer caracteristici şi performanţe stoarcle cu destinaţia specială sunt caracterizate prin parametri ş i i|c deosebite. Aceştia se împart la rândul lor în următoarele tipuri: i Ic precizie, rezistoare de rezistenţă ridicată, rezistoare de înaltă tensiune, i Ic înaltă frecvenţă şi rezistoare miniatură. urU-ristici principale: .•islcnfa nominală este mărimea rezistenţei indicată pe corpul rezistorului. tilcn-tt nominală de disipaţie este puterea maximă (în curent continuu nt alternativ) pe care o poate disipa rezistorul în condiţii de mediu exte' i miale (aer cald, T = +25°C), timp îndelungat, fără ca rezistenţa nominală lillcc în afara prevederilor din norme sau standarde. Această putere - > 'Icpindc du dimensiuni, construcţie, materiale utilizate şi condiţiile în cure . •• • .(c. iivisloiuliii la puteri mai mari dccâi puterea nominală duce In

Electroterapi$t

Valorile uzuale sunt: 0,1; 0,125; 0,2; 0,25; 0,3; 0,5; 1,0; 2; 5 şi 10 W pentru sloarclc cu rezistenţă fixă, 0,5; l şi 2 W pentru rezistoarele cu rezistenţă variabilă. 3 . Tensiunea nominală reprezintă tensiunea care poate fi aplicată la bornele istorului în condiţii normale ale mediului înconjurător iară ca rezistorul să se l rugă. Mărimea tensiunii nominale depinde de dimensiunea şi construcţia istorului, de proprietăţile elementului rezistiv şi de puterea şi construcţia istorului, de proprietăţile elementului rezistiv şi de puterea sa nominală, în etică cele mai uzuale valori pentru tensiunea nominală sunt: 150; 200; 250; ); 500; 750; l 000 V. Pentru rezistoare de mică rezistenţă, tensiunea nominală se limitează de )ccsul de încălzire care apare în rezistor când prin el trece curent electric. Pentru rezistoare cu valori relativ mari ale rezistenţei electrice, care lucrează aer, influenţa principală asupra tensiunii de lucru o are străpungerea care poate firea între terminalele rezistorului şi chiar între spirele alăturate ale elementului luluctor. Tensiunea corespunzătoare puterii nominale de disipaţie Pn poate fi terminată din relaţia: U = VPnRn ide Rn este rezistenţa nominală a rezistorului. Tensiunea la care se încearcă rezistoarele, U probă, este mai mare decât nsiunca nominală; de obicei: 4. Rezistenţa rezistorului în curent alternativ diferă de valoarea rezistenţei !7.istorului măsurată în curent continuu datorită: 1. prezenţei capacităţii şi iductanţei distribuite pe lungimea elementului rezistiv; 2. efectelor de suprafaţă 3. pierderilor dielectrice în suportul (carcasa) rezistorului şi în structurile de ruleeţie. In figura 3 se prezintă schema echivalentă a unui rezistor real şi variaţia jmlcn|ei sale, măsurată în curent continuu, cu variaţia frecvenţei. Rezistenţa totală rc/.islorului în curent alternativ (numită şi impedanţă) şi în special la frecvenţe iulie, are un caracter complex şi variază cu modificarea frecvenţei, rezistorul real oinpoi lându-sc în acest caz în parte ca o inductanţă şi în parte ca o capacitate. Ke/isloarclc bobinate se caracterizează prin valori mari ale capacităţii şi luluctanţci şi, din acest motiv, chiar şi la frecvenţa de ordinul kilohertzilor rezistenţii DI totala scade semnificativ; pentru aceste rezistoare, mărimile capacităţii proprii i n Ic imluclunţci proprii depind de modul de bobinare, numărul spirelor, precum i de forma si construcţia bobinei. Ke/.istoarele ncbobinate au valori mult mai mici pentru capacitatea şi luluctanţH lor proprie şi de aceea ele pot fi utilizate la frecvenţe mult mni mari (de iidinul sutelor şi miilor de MII/,). '-ij

'

'- J-

. Stabilitatea valorii rezistenţei electrice a rezistorului este supusă acţiunii •mi factori ca: temperatura, umiditatea, îmbătrânirea, tensiunile aplicate etc. l' iililicflrilc de rezistenţă electrică se exprimă de obicei în procente pentru l 000 ore liiiii'lioiiarc. Variaţiile rezistenţei electrice pot fi reversibile sau ireversibile. '/. Sixmwi(a în funcţionare. Deoarece în echipamentele electronice rezis-"• Ir sc uliii/ca/ă în proporţii de aproape 50% din numărul componentelor iclor, aproape un sfert din defectările acestor echipamente se datorcştc rlrii rc/,isloarclor. Cele mai frecvente cauze de defectare a rczistoarclor sunt: •i" u'ii şi deteriorarea contactelor (>50%), supraîncălzirea (arderea) in»/ \ rc/.istonmn/.\ .,; ~,,,,i; r., .,.

in iiKiiiiujc (mipiM ......... rlei'lrii'o, Niiprntncllr.lri de In mediul ln« iiifltor, montaje înghesuite eu ) Pentru creşterea siguran|ei in luiK'|ii>naica rc/.isloarclor se ulili/ca/fl regim Ic lucru (putere şi tensiune) earc sft Ic «sigure o răcire convenabilă.

1.2.2. CONDENSATOARE. CLASIFICARE. CARACTERISTICI PRINCIPALE Condensatorul electric este un dispozitiv compus din două plăci conductt > armături) despărţite printr-un dielectric; el are proprietatea de a acumula şah ilectricc. La conectarea condensatorului sub tensiune de curent continuu, pe armii' ipw sarcini de valori egale şi de semn contrar, care rămân şi după deconectarea i Capacitatea este principala caracteristică a condensatorului. Cantitatea slcctricitatc care se acumulează pe armăturile unui condensator, când acesla .> iiipune unei diferenţe de potenţial, depinde de dimensiunile geometrice ale condensatorului şi de tensiunea aplicată. Se numeşte capacitate C raportul dintre cantitatea de electricitate Q şi diferenţa Jc potenţial U:

U Unitatea de măsură a capacităţii este faradul (F), definit ca fiind capacitate! :ondensatorului care, la o diferenţă de potenţial de l volt acumulează o cantităţi :le electricitate de l coulomb (C). Faradul este o unitate de măsură foarte mare ţi •ie utilizează foarte rar; cel mai frecvent se folosesc submultiplii faradulul inicrofaradul (uF), nanofaradul (nF) şi picofaradul (pF). 1F = 10VF = 109nF = 1012pF Capacitatea unui condensator plan în vid depinde numai de dimensiunii! salo geometrice şi este dată de relaţia: C = 0,0884— d unde: C este capacitatea condensatorului, în pF; A - suprafaţa activă a armăturilor, în cm 2; d distanţa dintre armături, în cm. l )acâ între armăturile condensatorului se introduce un dielectric (fig. 4) si uoiiNtalA cil la aceeaşi diferenţă de potenţial, ca şi în cazul condensatorului cu vid, se obţine o cantitate de electricitate mai mare între armături, deci capacitatcn i ondi'iisatonilui creşte. Raportul dintre capacitatea condensatorului cu dielectrii iuti e iu mfitui i, C şi capacitatea condensatorului în vid, Cvid se numeşte permitivitaten ilioloctricuhn sau constanţa dielectrică, notată cu E.

iliih'ii iomlcilNiltOi un dielectric oare• cnlcula cu relaţia: O.OKH4 — d mc electrice condennntcază prin sim-'"• lltt. 5. ' " i > nsatoarele utilizate "'" ntcle electronice se " 'imlensatoare cu cai ^ . > , condensatoare cu ic vni iabilă şi condensa• iipiicilatcscmireglabilă. 'Milcnsatoarcle cu capacii NUMI componente cu o li/mc în circuitele elecHMI acest motiv, în preliilnică în producţia de IIIIM- varietate de condenMnnilard. ipA natura dielectricului, înec o clasificare a con• i' lor cu capacitate fixă,

Aria = A

d

dielectric.E

/

/

l

armaturi Fig. 4 Condensator plan.

T a

i T li

Fig. S - Simboluri utilizate pentru reprezentarea condensatoarelor în scheme: a - simbol general al capacităţii sau al condensatorului fix; b condensator cu capacitate variabilă; c, d - condensator ajustabil (trimer); e, f, g -condensator electrolitic; h bloc de condensatoare cu capacitate variabilă (condensatoare variabile duble); i -condensator de trecere.

''«Icnsatoare cu dielectric gazos; "n.lcnsatoare cu dielectric solid; DU dielectric neorganic (mică; ceramică; sticlă; sticlă-email; sticlăn). •'ii dielectric organic (hârtie; pelicule sintetice din polistiren, mylar, i i ••n.lcnsatoare cu dielectric din oxizi (condensatoare electrolitice cu • • "iidcnsatoare electrolitice cu tantal). "• i' nsatoarele cu capacitate variabilă se utilizează în special pentru acordul "Hdor oscilante. Aceste condensatoare nu sunt complet standardizate. 1 • MI ele cu capacitate semireglabilă se utilizează în circuitele care necesită • • i i \iilc la valori odată pentru totdeauna sau necesită reglarea periodică a i inele tipuri de condensatoare din această categorie sunt standardizate ni producţie de serie. nsatoarele cu capacitate fixă de obicei se realizează cu dielectric solid liartic, pelicule sintetice, mică), iar condensatoarele cu capacitate i ilielcctricul aer şi materiale plastice. 11 in am prezentat la rezistoare, şi condensatoarele sunt caracterizate ui specifici. Dintre parametrii principali amintim: capacitatea nominală

fi toleranta; rigiditatea dielectricl; rezistenţa In Ix.olnţlei pierderile dieleutriw liHliic'iiinţa proprie; stahilitalca şi siguranţa în runc|innm'e, Aceşti parametri ii» importanţa lor şi suni trataţi cu atenţie de eonslrucloii. Vom anali/a în conţinu " pentru o mai bună înţelegere a condensatoarelor numai paiametrul induci ...... proprie

liuluctanţa proprie. Pe lângă capacitate, condensatorul posedă şi inductaiiţpî loi mata din inductanţa proprie a condensatorului şi din inductanţa conexiunile! Induelanţa proprie a condensatorului depinde de dimensiunile elementului capacitiv (de exemplu bobina în cazul condensatoarelor cu armături bobinate), dt dispunerea acestuia în raport cu corpul metalic (cazul condensatoarelor închise Iii cutii metalice) şi de modul de conectare a terminalelor de armături; cu cât sunt nwi mici dimensiunile condensatorului şi cu cât terminalele sunt mai scurte şi mai i'KKise, eu atât inductanţa proprie a condensatorului este mai mică. Hxistenţa inductanţei modifică mărimea capacităţii (echivalente), conduti IM Icpcndcnţa ei de frecvenţă şi la apariţia fenomenului de rezonanţă în condensatul luale aceste defecte influenţează comportarea normală a condensatorului în cu cuil. în fig. 6 a se prezintă schema electrică echivalentă simplificată a condcnsii torului. La rezonanţă, adică la frecvenţa f. = •

l

>impedanţa acestui circuli

este minimă şi egală cu rezistenţa activă de pierderi; în afara frecvenţei de rezonanţă impedanţa (condensatorului) este mai mare şi are şi caracter reactiv (fig. 6 b), U frecvenţe (mai) joase capacitiv şi la frecvenţe (mai) înalte inductiv. Condensatoarele trebuie utilizate la frecvenţe mult mai mici decât frecvenţii lor proprie de rezonanţă (frecvenţa de lucru să fie de 2-3 ori mai mică decât frecvenţii de rezonanţă), domeniu în care au comportare de condensatori, component inductivă fiind practic neglijabilă. Cunoaşterea frecvenţei maxime de lucru a celm mai utilizate tipuri de condensatoare este esenţială pentru electronist.

Mii»

0.1 0.2 051 2 5 10 frecventa l M Hz l fi"1!&. . fi Schema electrică echivalentă simplificată a condensatorului (a) si variaţia impedanţei lui cu frecvenţa (b).

t»"

tnin dn exemplu do lrccvon|c mnxunc pAnA la care se pm uiili/a unele tipuri mioare: ulniNittoaic ceramice clise (de gabarit mic): 2 000-3 000 MII/,; 'iilensaloare cu capacitate variabilă (de gabarit redus): 300^00 MHz; ulensatoarc cu hârtie (de mare capacitate): 1-2 MHz; ulcnsatoarc electrolitice cu aluminiu: 0,01 MHz. .01 arca inductanţei condensatorului se realizează prin: 1. reducerea ninilor de gabarit ale condensatorului; 2. realizarea terminalelor din benzi m «.ilrinft şi 3. scurtarea lungimii terminalelor.

1.2.3. BOBINE ELECTRICE. CLASIFICARE. CARACTERISTICI PRINCIPALE Muhinclc electrice sunt componente electronice constituite dintr-un sistem i' 1 in scrie din material conductor care înlănţuiesc acelaşi circuit magnetic. îl in general utilizate fie pentru a produce o anumită tensiune magnetomotoare piivle sunt parcurse de curent electric), fie pentru a fi sediul unei tensiuni 'motoare induse (când circuitul magnetic e străbătut de flux magnetic variabil • i Alai tensiunea magnetomotoare produsă în bobină la curent electric dat, ii i unea electromotoare indusă în bobină la variaţia în timp dată de fluxul ei • i ' sunt proporţionale cu numărul de spire ale bobinei. 'nsianta de proporţionalitate se numeşte inductanţa bobinei, se notează • i i l , şi se defineşte cu relaţia: •I» este fluxul magnetic; i curentul electric. mi numeşte şi autoinductanţă sau inductanţa proprie. Unitatea de măsură a '>t ii |r i se numeşte Henry (H); în practică se folosesc şi unităţile milihenry 10 'H), microhenry (ImH = lO^H) şi nanohenry (InH = 10"9H). i 1 1 M hcmele electrice bobinele se notează ca în fig. 7. După natura circuitelor 1 1' r se deosebesc două tipuri de bobine: l M ihina fără miez, care este asociată cu un circuit magnetic care nu conţine î l ' leromagnetice; în forma cea mai simplă, ea se realizează cu un conduc -• n i . 1 1 într-un singur strat pe suprafaţa unui cilindru circular drept şi se numeşte ud; bobina cu miez, care este asociată unui circuit magnetic care conţine oile Icromagnetice: fier moale, oţel aliat, aliaj de nichel sau cobalt, ferite etc. l lupa forma şi aşezarea spirelor se deosebesc: bobine plate, bobine toroidale, încurc, bobine în galeţi sau secţionate etc. ',. 7 •- Simboluri folosite în scheme pentru bobine.

nm

Dupfl frecvenţele de Iun n. imlwiolc MC cliiNifîcfl m bobme du lrccvpn|a Ilulii'ilrmlA, bobine dejunul lrcivcn|rt, bobine de iniilin frecvenţa Dupfl mimflrul de stnituri ale înfAşurArii se deosebesc bobine cu un slin! şi bobme cu mai multe straturi. < iiiaeleristici principale. Dintre principalele caracteristici ale bobinolni clecli icc se amintesc: inductanţa, factorul de calitate, capacitatea proprie, stabililiili»* fi mutilanta în funcţionare. în continuare vom trata caracteristica principală: inductanţa. Inductanţa. în funcţie de utilizare, inductanţa bobinelor folosite în cchi|w mcnle electronice variază în limite largi, de la câţiva nanohenry la zeci şi sule I!F milihcmy. Destinaţia bobinei impune precizia de realizare a inductanţei: în jurul a l " » şi 2% pentru bobinele destinate circuitelor acordate şi 10-20% pentru bobinele tip cuplaj sau pentru bobine de înaltă frecvenţă care lucrează la frecvenţe mult diferiţi de frecvenţa de rezonanţă. Relaţia: L=

4nN2S l

ne dă inductanţa (cu precizie 1-2%) unei bobine de lungime l (lungimea este df 20-30 ori mai mare ca diametrul), cu secţiunea S şi numărul de spire N. în realitate, lungimea bobinei este comparabilă cu diametrul ei (D); prin aceasta câmpul magnetic la capetele bobinei se curbează şi un număr mai mic d« spire este înlănţuit de fluxul magnetic, fapt care duce la reducerea inductanţei, pentru acest caz relaţiile de calcul sunt complicate şi de aceea pentru simplificări în formula practică de calcul menţionată mai sus se introduce coeficientul „a", H cărui valoare depinde de raportul l/D. în acest caz, formula de calcul a inductanţei devine: L = aN2D10~3, unde L se obţine în jiH (D în cm şi coeficientul „a" din tabele).

1.2.4. TRANSFORMATOARE ŞI ŞOCURI DE ALIMENTARE în circuitele de joasă frecvenţă şi de frecvenţă industrială ale echipamenteloi electronice au o largă utilizare bobinele cu inductanţa mare (de ordinul zecilor sau chiar sutelor de henry), prin care trec curenţi importanţi. Aceste bobine, realizate cu miez magnetic (oţel electrotehnic, ferită, permalloy etc.) pentru a nu aven dimensiuni mari, sunt şocurile de alimentare si transformatoarele. Transformatoarele sunt componente elec tromagnetice bazate pe fenomenul de inducţie electromagnetică, construite pentru a primi puterea electrică sub intensitatea I şi tensiuncn U aplicată unui circuit zis primar şi a o reda sub o tensiune U s şi o intensitate I, la bornele unui /•'// incftl/.it, energia electronilor creşte, iar unii dintre ei reuşesc să înmaga/uu suficientă energic pentru a putea ieşi din metal. Acest fenomen se poate ascmAn intuitiv cu evaporarea unui lichid (pe măsură ce lichidul e mai cald, unele di moleculele sale capătă suficientă energie pentru a-1 părăsi). Electronii pot părăsi metalul câştigând energie şi de la alţi electroni ce v i din exterior, într-adevăr, dacă bombardăm un metal cu electroni de energie sufieii i de mare, aceştia pătrund în metal şi cedează energia lor electronilor din metal, cai astfel îl pot părăsi. Electronii emişi se numesc secundari, iar electronii cm bombardează metalul, primari. Numărul de electroni secundari poate fi de l - 5 o mai mare ca numărul de electroni primari. Acest tip de emisie se numeşte cmli.i secundară. Şi în acest caz se poate face o analogie cu un lichid în care curge un ti lichid (electronii primari) şi sar stropi (electroni secundari). Sub acţiunea luminii (care este o formă de energie radiantă), electronii ili< metal pot primi energie şi pot fi emişi. Avem de-a face cu o emisie fotoelectronu >< Analogia pentru acest caz ar fi aceea că suflând un jet de aer (energia radiantă) \\t suprafaţa unui lichid pot să sară stropi (electronii emişi). în tuburile electronice cea mai des întâlnită este emisia termoelectronicfl Mişcarea electronilor: Mişcarea în câmp electric. Să presupunem că (fig. ll)electroin este aruncat între două plăci, paralel cu ele, cu o viteză v. Dacă placa superioară este pozitivă şi cea inferioară negativă (fig. 11 i electronul va fi deviat în sus. Dacă placa superioară este negativă iar cea inferioa pozitivă, electronul va fi deviat în jos (fig. 11 c.), în cazul în care au acelaşi potcnj i po/itiv (sau negativ) - deci diferenţa de potenţial dintre plăci este nulă - electronii trece nedeviat, deoarece ambele plăci îl atrag (respectiv îl resping) la fel de puterm< (lig. 11 b). M i ş c a r e a în câmp magnetic, în general putem deosebi doini situaţii, direcţia de deplasare (vectorul viteză) iniţială a electronului este paralrU sau perpendiculară faţă de câmpul magnetic.

t *~

i#. // - Devierea direcţiei de mişcare a unui electron în câmpul electric.

t IM 12 - Por)! exercitat! uupra unui electron de un câmp magnetic B. •factron iftrA direcţia de deplasare este paralelă cu câmpul magnetic B, asupra utilul nu se exercită nici o forţă. Dacă direcţia de deplasare este perpendiculară ipti! mii|L',netic (fig. 12) apare o forţă F, perpendiculară atât pe v cât şi pe B, mi- diilii de relaţia: F = e-v-B e pale sarcina electronului. 'In cele de mai sus rezultă că direcţia de mişcare a unui electron poate fi i fle cu ajutorul unui câmp electric, fie cu ajutorul unui câmp magnetic. 1

1.3.1.2. DIODA CU VID i * l 2.1. Structura unei diode cu vid. Dioda cu vid este un tub electronic tn|me numai doi electrozi, anodul şi catodul. udului produce electroni prin emisie termoelectronică. După natura catodului :if m două tipuri de diode: a) cu încălzire directă şi b) cu încălzire indirectă. i -u lii|fi a construcţiei unei diode cu încălzire indirectă este dată în fig. 13. l riic metalic şi de obicei este făcut din tablă de tantal, molibden, nichel etc. iiinholiil grafic care se utilizează pentru reprezentarea diodei în scheme este (n fig. 14. în general, se renunţă la desenarea filamentului şi atunci simbolul i • cel din fig. 14 c. .'.2. Caracteristica curent-tensiune a unei diode cu vid. Prin caracteristica .urne a diodei cu vid (sau mai general a unui tub electronic) se înţelege m i arc depinde curentul ce trece prin tub de tensiunea aplicată între anodul iul tubului. f

C

Fig. 14 - Simbolul diodei cu încălzire indirectă (a), cu

anocf f i/omeni

Diodă cu încălzire indirectă.

încălzire directă (b) şi fără reprezentarea filamentului (c).

—-e *

00V

-

0-/0V

°0v

/•Vi;. /5 - Sensul curentului anodic şi polaritatea tensiunii anodice pozitive.

în mod obişnuit se utilizează denumirea de curent anodic şi tensiune anoil > De exemplu, tubul din fig. 15 a are un curent anodic de 10 mA, la o tensi". onodică de 20 V. Conform convenţiei din electricitate, sensul curentului electric este c< i unor sarcini pozitive, deci curentul va circula de la plus la minus (anodul este i > pozitiv decât catodul, curentul circulă de la anod la catod) invers mişcării electronii^ în tub. Tensiunea anodică o considerăm pozitivă dacă anodul este mai pozitiv clei IH catodul (sau ceea ce este totuna, catodul mai negativ ca anodul) - în acest SIMM fig. 15 a şi 15 b sunt echivalente. Tensiunea anodică este negativă dacă anodul c*l> mai negativ decât catodul (sau catodul mai pozitiv ca anodul). Dacă tensiunea anodică este pozitivă se spune că dioda este polarizată diroci iar dacă este negativă, dioda e polarizată invers. Caracteristica curent-tensiune se cunoaşte şi sub numele de caracterislu» IA(UA) sau caracteristica statică a tubului. Ea poate fi reprezentată grafic punAm! pe abscisă valoarea tensiunii anodice UA, iar pe ordonată valoarea curentulu anodic IA. în figura 16 este reprezentată caracteristica statică IA(UA) pentru o diodă u catod cu încălzire directă. Făcând o comparaţie între caracteristica curent-tensiune pentru o diodft »• aceeaşi caracteristică pentru o rezistenţă obişnuită constatăm o deosebire principul!* între diodă şi rezistenţă.

Fig. 16 - Caracteristica curent-tensiune a diodei cu vid pentru două temperaturi T l, T2 ale catoduhii: / - regiunea inversă; // - regiunea cu sarcină spaţială; ///-regiunea de saturaţie.

f

Ct>Mi|)iiinţH- iulie o dioda ţi o iivislonjA

J-o

m

w/,inten|ă în funcţie de polaritatea tensiunii aplicate, curentul poate trece

re/istcnţa prezentată în spaţiul grilă-catod care atinge uşor valori de ordinul I M 1 independent de scara de măsură, în timp ce la un instrument cu ac indicator rczistenl hi intrare este mult mai mică. Astfel, în primul caz (rezistenţa de intrare mui< sursa supusă măsurării este practic neafectată, eroarea de măsurare fiind mai mii < c) Amplificator de putere Un astfel de amplificator debitează în circuitul de ieşire o putere mai nun decât puterea ce o primeşte în circuitul de intrare. Evident că această marin (interii se face ca în orice tip de amplificator pe măsura energiei luate de la sursa o alimentare. Amplificatoarele de putere au o utilizare foarte largă. De exemplu, în ficnn aparat de radio există un etaj de putere de joasă frecvenţă care are ca sarcti difuzorul (sau grupul de difuzoare), în fiecare emiţător un etaj de putere cm debitează în antenă puterea ce se radiază. Ca şi în cazul amplificatoarelor de tensiune variabilă, şi amplificatoarei i de putere li se cere să distorsioneze cât mai puţin. Un etaj amplificator de putere de joasă frecvenţă care furnizează putere într-m difuzor este prezentat în schema din fig. 35. Deoarece difuzorul are o rezistenţă mică şi care cere un curent mare, i • utili/cază un transformator coborâtor (Tr.) la ieşirea montajului. Totodată tran formatorul este astfel proiectat încât să asigure un transfer maxim de putere de la amplificator la iliiu/or. La amplificatoarele de putere de înaltă frecvenţă întâlnim două particularităţi. Prima este funcţionarea în clasă C (sau B), iar a doua modul de realizare a sarcinii care devine în mod obligatoriu un circuit acordat pe frecvenţă de lucru. Randamentul unui amplificator audio de (întorc atinge uzual valori de 30-40%, în timp ce til unuia de putere de înaltă frecvenţă valori do 70 80%. Fig. 35 - Amplificator audio defkltert

llatttr iînnil (HIIII gcnciiilorul de oscilaţii) este un sistem ce serveşte la pioduili iţ ii electrice. Iii furnizează la bornele de ieşire o tensiune de amplitu.ni|A reglabilă. i ompnnciilă esenţială a unui oscilator este tubul electronic. Când tubul 11 o schemă de oscilator, i se utilizează de fapt proprietatea de amplificare •i electrice. i nil că la un amplificator pentru a obţine tensiunea de ieşire aplicăm la .unic din exterior. La un oscilator situaţia este diferită deoarece tensiunea , i i e Iară ca din exterior să se mai aplice o sursă de tensiune variabilă. i K m care amplificatorul ar avea tensiune de intrare, în mod autormat, u- a aduce în mod controlat, de la ieşirea amplificatorului o parte din • c va li aplicată la intrare. Această aducere înapoi, la intrare, a semnalului ,,reacţie". Dacă amplificarea este egală cu A, iar schema este astfel Ue ,i să se aducă la intrare l/A din tensiunea de ieşire —- (adică U/A) se A(U/A) = U in reacţie vom avea la intrare iarăşi U /A, deci la ieşire Uc ş.a.m.d. Amplifiţi fabrică singur semnalul de intrare. Deoarece la ieşire avem tensiune i|ilici1in nimic la intrare, amplificatorul s-a transformat într-un oscilator, lii'ina de principiu a unui oscilator în care reacţia se face prin intermediul Mur cuplate este dată de fig. 36. •• numirea sub care apare acest tip de oscilator este „oscilator cu circuit ui iiiiotl şi reacţie magnetică". HI cuplajul magnetic între bobinele L şi L ; (care lucrează asemănător unor 11 de transformator, dar fără fier), tensiunea de ieşire ce apare la bornele L n H mea de intrare care apare la bornele lui L,. Circuitul acordat LC serveşte na anodică pentru lucrează ca ampli- rcacţi* lillcând capacitatea se modifică freconanţă a circuitului i .-cvenţa semnalului i le oscilator.

t-ctor i. pusă să lucreze în ndiţii, poate funci ik-lcctor. O posibiliHincţionare este cunos• numele de detecţie pe

lificatorul

gtilA, lai Nchfinn corcH|nin/flto«reom< de li g muiical rac fot

.r/, Idccu pe care Ne bu/cu?,A dci pe gri l A este aceea de ii utili/a spaţiul cutod ca o diodă în care rolul anndului «•{! jucat de grila triodci.

Procesele ce au loc sunt identice t4 cele ce se petrec la detecţia cu diodfl. '•• " naiul detectat, ce apare de obicei la Ivn condensatorului C, acţionează ca o iu Fig. 37-Detecţiape grilă. vare var i a bilă pe grila triodei. Cur anodic urmăreşte variaţiile tensiunii de grilă şi vom regăsi aceste variaţii la Iun n rezistenţei anodice RA, amplificate. Deci, în mod suplimentar, în cazul detecţiei pe grilă apare pe lângă detidlj propriu-zisă şi o amplificare a semnalului. l în schema din fig. 37 apare şi condensatorul CA. Deoarece curentul anO^H urmăreşte şi variaţiile tensiunii de grilă determinate de oscilaţia de înaltă frccvefljl se pune condensatorul CA prin care aceste variaţii sunt scurtcircuite la mult rămânând în anod numai componenta semnalului modulat. Această schemă de detecţie pe grilă este cunoscută sub numele de „aui i Trioda oferă o altă posibilitate de funcţionare ca detector, lucrând ca < tor anodic (sau ca detecţie pe placă). La detecţia pe placă (fig. 38 a) spre deo.v de detecţia pe grilă, oscilaţia modulată este mai întâi amplificată şi apoi deteditH Detecţia apare ca urmare a alegerii punctului static de funcţionare în rcgiiin de tăiere a curentului anodic. Ca urmare, în circuitul anodic, va circula un cui. anodic puternic pentru alternanţele pozitive şi un curent anodic slab, pracli> pentru alternanţele negative (fig. 38 b) prezentând aspectul deja cunoscut al de alternanţe pozitive a căror amplitudine variază în ritmul semnalului (fig Ca şi în cazul detecţiei pe grilă, condensatorul CA are rolul de a scurtcircuita masă componentele de înaltă frecvenţă.

S Cmnol' muzica/ dcfecfaf

Fig. 38 - Detecţia pe placă.

te

msro/iTivE M.KCTUONICE SUMKONIHICIOAKK l l'Kori'SI' FI/ICI' ÎN DISI'OZITIVI'I !• Kl.hCTRONKT. i MK'ONIMKTOARI-:. NOŢIUNI DE FI/ICA ATOMULUI • ţtilcttciva pi incipiului de funcţionare a dispozitivelor electronice scmiconnv Im/ea/ă pe cunoaşterea structurii atomului şi a proceselor fi/.ice ce se tifl Iu nivel atomic în cele trei tipuri principale de materiale utilizate în n n semiconductoare: materiale bune conductoare de electricitate, scmi•nir şi izolatoare. irt n mira în amănunte detaliate privind structura atomului, se reamintesc ) se introduc atomi de fosfor, arscn n* care nu 5 electroni de valenţă, va apărea situaţia existenţei unui al cincilea •i lonrtc slab legat de atomul său, ceilalţi 4 fiind legaţi de alţi 4 atomi. Acest i pnuie II eliberat chiar cu un nivel redus de energie suplimentară, astfel nu ;ji Iu temperatura obişnuită, în semiconductor există electroni liberi. n utomi introduşi în reţeaua cristalină se numesc „impurităţi", iar în ii sus sunt „donori" deoarece au dat naştere la electroni liberi, i ui în care aceeaşi reţea cu atomi de Ge sau Si se introduc atomi cu trei •n «Uvalenţă (bor, aluminiu, galiu, indiu) apare situaţia în care unul dintre HI tic valenţă ai Ge sau Si rămân fără legătură. n electron care primeşte un surplus redus de energie, poate ocupa acest loc, M imului său un loc liber. ••l 11-1, aceste impurităţi creează goluri mobile în semiconductor, ele denu•'»• „acccptori". n semiconductor, în care conducţia are loc preponderent prin electroni, se 1 • Ncmiconductor de tip „n", iar când majoritare sunt golurile, este de tip „p". 1.3.2.3. JONCŢIUNEA PN lemcntul de bază al unui dispozitiv electronic semiconductor îl reprezintă ieit pn. Aceasta se realizează într-un semiconductor în care se creează două j! 11 «lăturate, una de tip p şi una de tip n, prin doparea lor cu donori şi acceptori. nrn 40 se arată fenomenele electrice într-o joncţiune pn simetrică (ambele pi nu concentraţii identice de donori şi acceptori). Ung p

Joncţiunea

• 0* Q

©—©

• 0 * © *

•0 * 0 *

©-*© Q—©

.o«©+

Q—©

Reg. n

© - © -v © - ©- ©- © -©-©-'

\ Electroni / liberi

Sarcină spaţiali pozitivă

Sarcină spaţială negativă

a M

^_

N D

A

Sar

î

Potenţial

electric

c

e

l unica pn simetrică la echilibru: a-ionii fixaţi (semnele încercuite) şi purtătorii mobili mele neîncercuite) în dreptul unei joncţiuni pn; b - repartiţia concentraţiilor de acceptori Miri (ND) într-o joncţiune pn; c - repartiţia purtătorilor mobili, goluri p şi electroni n ic la -echilibru (formarea regiunii lipsite de purtători mobili); d - formarea sarcinilor • l'-! în dreptul joncţiunii; e - apariţia barierei de potenţial în dreptul joncţiunii.

Ionii donon ft» yi acceptări e mint iituibili (IIy 40 N), Unul prinşi In i criMnlînrt. Sarcinile mobile sunt electronii., " |i golurile „i". Diagramii ,.!> VBfiaţw concentraţiilor acccplorilor si donorilor, nuc nu trec brusc la O n joncţiunii. Deoarece concentraţiile sunt egale (N = N), joncţiunea este simcli /,onn joncţiunii, electronii şi golurile au tendinţa să difuzeze în zonele opiisr încât în /ona joncţiunii, atât electronii, cât şi golurile au concentraţie rcdusA • l neutrali/Arii reciproce (diagrama „c"). Datorită acestui fapt, în zona joncţiunii ionii © şi 0 imobili, fixaţi în reţeaua cristalină care formează o sarcină spa|i.> creca/ă un câmp dinspre zona n spre zona p (săgeţile din schema monocrislahiM| arii tata în diagrama „d". Acest câmp este astfel orientat (de la 0 la 0), încât lonni o „barieră de potenţial" (diagrama „e") de valoare U . Prin aplicarea unui of electric exterior, această „barieră" se modifică în funcţie de sensul câmpului (( se adună sau se scade la efectul ei), în cazul însumării efectelor (când tcnihii exterioară polarizează pozitiv zona p), nivelul barierei de potenţial se reduce, ni cfl un număr mai mare de purtători majoritari vor trece, prin joncţiune trccflntl i „curent direct". Dacă tensiunea exterioară este de polaritate opusă, nivelul barierei de poienii va creşte, reducându-se numărul de purtători ce traversează joncţiunea, în «u ca/ existând un „curent invers", de valoare foarte redusă, în practică nu se folo^ joncţiuni pn simetrice, ci joncţiuni pn nesimetrice, în care concentraţiile impurilrtu diferă în cele două zone p şi n. Se poate demonstra că în această situaţie, în IM polarizării inverse, curentul invers este mult mai mic. Totodată, joncţiuncn nesimetrică este elementul esenţial al tranzistorului.

1.3.2.4. DIODA SEMICONDUCTOARE Dioda semiconductoare reprezintă o joncţiune pn căreia i se aplică dolj terminale la capetele cristalului - pentru contact electric, - introdusă într-o de metal sau material plastic pentru protecţie. Regiunea p este anodul dunll regiunea n este catodul (fig. 41). în figură se indică şi reprezentarea schemaliil| diodei. CAPSULĂ DE PROTECŢIE CONTACT OHMIC

\ MINAL

v

/

JONCŢIUNE p-n

/

/

CONTACT OHMIC

TERMINAL

^X

(

n ANOD

n

Y

H

"

]

CATOD

ANOD ' ' CATOD Fig. 41 - Structura unei diode şi reprezentarea ei în scheme.

Direct ZONA

Străpungere Ftg. 42 - Caracteristica curenttensiune a unei diode semiconductoare.

Puwjionarca diodei se bazează, pe procesele fizice din joncţiunea pn nesime|( ic poate observa pe caracteristica de tensiune-curent (fig. 42) care arată iţn curenţilor direct şi invers prin diodă, la aplicarea unei tensiuni exterioare, observă că la aplicarea unei tensiuni în sens direct (U > 0), curentul prin rţfle rapid la o variaţie mică a tensiunii. Când U < O, curentul rămâne A imul i v constant la o valoare redusă (curent invers) la variaţii mari ale tensiunii, tu /mia Z - „zona de avalanşă" -, care în cazul când este depăşită, curentul t ni|ii(l si se produce distrugerea joncţiunii (aceasta reprezintă tensiunea de t

.........-u j.

l ţ in A•

ura 43 se arată detaliat zona Z, care este folosită pentru realizarea diodelor 11 i/atoare de tensiune. Se observă că în zona de străpungere, la o variaţie .1 curentului prin diodă AI, se menţine o variaţie foarte redusă a tensiunii i enomen este utilizat pentru realizarea diodelor stabilizatoare de tensiune,

Id (mA)

"st

J

O 0,25 0.5

\m

0.75

5'st mi n

AI

înv

10 15

max (mA)Fig. 43 - Caracteristica unei diode stabilizatoare de tensiune.

1 Ud(V)

l A

/•"/g. 44 - Simboluri utilizate pentru diode semiconductoare: a - diodă semiconductoare în b diodă Zcner; c - diodă varactor (varicap); d- diodă tunel; e - diodă Schotky.

care nu se deosebesc constructiv de diodele obişnuite de mică putere. Rcprczcnlui* simbolică este indicată în fig. 44, comparativ cu o diodă obişnuită şi cu alte lipti de diode. Diodele semiconductoare pot fi utilizate în scheme variate unde trebuii > satisfacă unii parametri, în funcţie de aplicaţia dorită, în acest scop, diodele nd scrie de caracteristici pe baza cărora se aleg. Acestea sunt: a) Tensiunea directă. Reprezintă valoarea căderii de tensiune între amulul catodul diodei în cazul conducţiei directe. Valoarea de catalog se indică la o anuiM temperatură a joncţiunii. Acest parametru este important în cazul redresoarelor, unde este neccsnr i mărimea să fie de valoare redusă (pentru scăderea puterii disipate) sau în CN montării în paralel, când diodele trebuie să aibă tensiuni directe cât mai aprop(&|| b) Curentul invers. Parametrul este important în schemele de redresflf detecţie etc. c) Tensiunea inversă maximă. Reprezintă valoarea peste care joncţiunea | se distruge la aplicarea unei polarităţi inverse. d) Curentul direct maxim. Reprezintă curentul direct maxim care pod parcurge joncţiunea pn la aplicarea unei polarizări directe. e) Puterea disipată. Reprezintă puterea disipată de joncţiunea pn şi este strAd legată de tensiunea directă şi curentul direct. 1.3.2.4.1. Alte tipuri de diode Proprietăţile joncţiunii pn permit realizarea şi a altor tipuri de diode: a) Diodele varactor (varicap) sunt dispozitive semiconductoare caricircuitele electronice se comportă ca o capacitate variabilă cu tensiunea de polari/itil (fig. 44 c). b) Diodele de înaltă frecvenţă sunt dispozitive de uz general, care pol folosite pentru redresare, detecţie şi alte aplicaţii, în game de frecvenţă paiul l 000 MHz (ex. diodele Schotky, fig. 44 e). c) Diodele pentru microunde sunt destinate funcţionării în gama frecvenţi l< ultraînalte (unde centimetrice şi milimetrice). Diodele se realizează într-o variei. < deosebit de mare pentru a acoperi un domeniu larg de frecvenţe. Dintre ele aminin< dioda IMI'ATT, dioda PIN, dioda GUNN şi dioda tunel (fig.' 44 d).

1,2,4,2, Si'lii'im» ',al cu cel de emitor), va creşte şi căderea de tensiune pe R£. Aceasta va ^ . .ulă tensiunea U BE, ceea ce duce la scăderea curentului de colector, care i H la valoarea iniţială. '• M I . i metode sunt prezentate în fig. 55: 11 Icnsiunea de polarizare a bazei se ia printr-un divizor din colectorul lotului (fig. 55 a). La creşterea temperaturii, deci şi a curentului de colector, Pd de tensiune pe R creşte, ceea ce conduce la reducerea căderii de tensiune \n, (mlică UBE), ducând la reducerea curentului de colector.

t

«+

Termistor /Tj UBE o------------i—

Fig. 55 - Stabilizarea punctului de funcţionare a tranzistorului: a - prin alimentarea bazei de la borna de colector; b - prin alimentarea bazei de la un divizor de tensiune cu termistor.

h) în neeii monta) (flg 93 b), citi e cute Identic eu cel din fig. 55 «, re/hi R s a t e InlonniAcii un lerniistor cure are pmpnclataaca Iu creşterea

a rc/lltcn|a lui sA se iul A. în ucust fel scudc şi l IM| , deci scade şi curentul de col Acc.slc trei montaje sunt cele mai utili/aţe şi 'se folosesc în loalc CU tran/istoarc, indiferent de schema în care lucrca/ă (amplificator, oscilatoi > i« 1.3.2.5.3. Principalele utilizări ale tranzistorului

Proprietatea tranzistorului de a amplifica în putere (în tensiune şi în ctlf semnalele variabile, îi conferă posibilitatea de a funcţiona într-o mare divei nil de montaje. Amplificatoare Aşa cum s-a arătat mai înainte, tranzistorul prezintă importanţa caractoi l «IM de a amplifica semnalele variabile. Utilizându-se această proprietate se realizează amplificatoare care se |H clasifica după diverse criterii. în funcţie de nivelul mărimii semnalului amplificat, ele pot fi de semnul m* sau de semnal mare (amplificatoare de putere). Dacă se are în vedere bun frecvenţă a semnalului amplificat, pot fi de bandă largă (este amplificată o l de frecvenţă între anumite limite), selective (banda de frecvenţă este redus. i de curent continuu (de frecvenţă zero). Amplificatoarele cu tranzistoare pot avea diverse scheme de realizate, j. funcţie de performanţele impuse şi de montajele cu care se folosesc. Amplificatoare de joasă frecvenţă de semnal mic Aceste amplificatoare se bazează în general pe schema din fig. 54, cu • diferenţe date de modul de realizare a stabilizării punctului de funcţionare s > modul de cuplare între etajele succesive. Cuplarea mai multor etaje succesi amplificare este necesară în cazul unei amplificări mari, care nu se poate ob(n un singur etaj. Principalele moduri de conectare sunt indicate în fig. 56: a) Cele două etaje de amplificatoare sunt identice, transmiterea semn;> de la unul la celălalt făcându-se prin intermediul unui condensator Cd. A permite trecerea semnalului alternativ, totodată împiedicând trecerea cure n continuu, ceea ce face ca să se menţină polarizările bazelor tranzistoarelor. Cii| n este de tip RC.

a

b Fig. 56 - Amplificatoare de curent alternativ de semnal mic.

uplnjtil prin lriin»lbrmnlor este cel mai bun, deoarece asigura atât icpartrct i de poluri/arc ale tran/.islourclor, cât şi adaptarea impcdan|elorde ieşire Au- (Ic/.avantajul unui gabarit marc şi creşterii costului, datorită ulmului. 1 d mai simplu cuplaj este cel direct, însă acesta prezintă o serie de 1 ii|f ca: număr limitat de etaje, dificultatea în proiectare, sortarea specială idilelor; pru/intă în schimb avantajul amplificării de la frecvenţa zero şi i dd'a/ajelor în transmiterea semnalelor. /ill/icdloan' de joasă frecvenţă de semnal mare i Kle amplificatoare primesc de obicei la intrare semnale date de amplifilis semnal mic şi se folosesc pentru obţinerea la ieşire a unor semnale de

reprezentare zecimală. Un calculator care ar lucra în sistemul zecimal, ar necesita zece nivele disl in< de tensiune (corespunzătoare celor zece cifre ale sistemului zecimal de numeutli care trebuie menţinute foarte precis în toate circuitele electronice pentru a c M ambiguitatea între două cifre vecine. Dificultatea menţinerii constante a zece ni v de tensiune distincte a fost unul din motivele importante care a determinat utili/in sistemului binar la calculatoarele electronice. Tranzistorul care se poate afla în stare saturată (curent maxim) sau bliii (curent minim) permite realizarea şi menţinerea â două nivele de tensiune distim i Aceste două nivele pot fi definite cu precizie, sunt reproductibile şi astfel se poi»' obţine un sistem foarte stabil. Tranzistorul comută de la o stare la alta într-un timp mai scurt de 10 6 s, iii poate răspunde în medie la peste un milion de comenzi pe secundă. După cum s-a văzut din exemplele de conversie prezentate mai sus, trccei* la sistemul binar implică o reprezentare numerică printr-un şir mai lung de cil decât în sistemul zecimal, cu atât mai mult cu cât numerele zecimale echivalcn sunt relativ mai mari. în principiu, operaţia de bază efectuată de logica calculatorului numeric c* adunarea, celelalte operaţii realizându-se prin modificări ale procesului de aduiM (de exemplu, pentru a înmulţi cifra 15 cu 8, calculatorul adună pe 8 cu el însuşi 15 ori). Deşi modul de calcul este indirect, necesitând un număr mare de circul binare, viteza mare de prelucrare a informaţiei şi simplitatea sistemului compensc.i procedeele de calcul. Operaţiile efectuate în sistemul binar de către calculatoare sunt modelate algebra booleeană. Reprezentând un capitol special al logicii matematice, algol booleeană se ocupă cu descrierea funcţionării circuitelor logice. Aplicarea pi i cipiilor matematice permite proiectantului de sisteme digitale să obţină specifica|i impuse, utilizând un număr minim de componente. Matematicianul englez Boole a dezvoltat logica simbolică, introducând logică procedee de calcul cu valori de adevăr. Logica booleeană reduce |n abstractizare valoarea unei propoziţii la două stări: adevăr şi fals, reprezentate pi numerele l, respectiv 0. Numerele sunt reprezentate printr-un ansamblu de cifre sau digiţi (dinu cifră) denumite biţi. Termenul bit provine din contracţia noţiunii mai complexi cifră binară (BInary digiT).

"i iiiiiejiii honlocntiA se In|clcp.c m ^.cncinl o variabilii dcpciulciilA n i'firci l' i>ui(lc de mai multe variabile nulcpciulcntc. în algebra boolccanfl !i iiiilc|K-iuli-Mir nu pol lua decât doua valori, O şi l , deci numărul funcţiilor util Se poair .n aţa ca pentru n variabile independente se pot obţine 2 2" iluIlVIlC

> nul la circuitele integrate digitale, după această extrem de sumară trecere lica, trebuie să arătăm că se caracterizează prin aceea că tensiunile lor, i de ieşire, nu pot avea decât două valori care se reprezintă convenţional nli -un l , ceea ce face ca ele să fie de tipul „totul sau nimic". lole integrate digitale actuale se împart în circuite logice combinaţionale Ijice secvenţiale. ' lele combinaţionale se caracterizează prin aceea că semnalele la bornele " • la un moment dat depind numai de semnalele aplicate în acelaşi moI H unele lor de intrare. Exemple de circuite combinaţionale sunt porţile, • i i » ncuitc care îndeplinesc funcţii logice de bază: ŞI; NU; SAU; ŞI-NU; X I I liXCLUSIV. IM miele secvenţiale sunt circuite al căror semnal la ieşire la un moment dat niai de semnalele aplicate în acelaşi moment la bornele lor de intrare, cât "nulele aplicate la momente de timp anterioare. Ca exemple de circuite •nţiale se menţionează: circuitele basculante, registrele, numărătoarele Ins de vârf al circuitelor logice integrate, microprocesorul este un cirinivcrsal, programabil de utilizator pentru a realiza cele mai diverse

i uite logice combinaţionale • pentru un circuit integrat logic starea la ieşire, în orice moment, depinde Unlilniijia stărilor de la intrare din acel moment, circuitul realizează o logică f i poartă logică binară este un circuit combinaţional cu mai multe intrări şi o jlM u- v i re care lucrează în sistem binar. i M UT funcţie algebrică logică (numită funcţie booleeană) poate fi exprimată i . M i i l următoarelor funcţii fundamentale: SAU; ŞI; NU; SAU-NU; ŞI-NU 1 l numite operatori. i torul SAU. Circuitul electric care materializează funcţia logică SAU OR) se numeşte operator SAU; are două sau mai multe intrări şi o ie. Funcţionarea se caracterizează prin: i cu sa ia valoarea logică l dacă una sau mai multe din intrările sale iau 1 1 ea sa ia valoarea logică O dacă toate intrările sale iau simultan valoarea n >|ii'uilorul SAU se reprezintă printr-un simbol matematic (care leagă între • ••lulele de la intrare), un simbol grafic (utilizat în schemele electronice), o Ionică (ce leagă între ele variabilele de la intrare cu variabila de ieşire) şi l de adevăr, după cum urmează: timbol matematic: + (semnul plus) sau U (reuniune);

SAU - NU

SAU

Variabile A B C 0 0 0

SAU - NU

SAU F = A+B+C

Şl F = A-BC

F = A+B+C

0

0

1

Şl F»>' •• l

•,,-,!-,'

0 0

0 1

1 0

1 1

0 0

0 0

0

1

1

1

0

0

1

0

0

1

0

0

"•'• 1

1 1

0 1

1 0

1 1

0 0

0 0

r 1 1

1

1

1

1

1

0

0

l

Fig. 86 - Funcţii logice elementare.

- simbol grafic: (vezi fig. 86); - ecuaţia logică: A+ B + C = F, ecuaţie care se citeşte: „F este egal cu A B sau C". Operatorul ŞI. Circuitul electric care prezintă funcţia logică ŞI (în onglf AND) se numeşte operator ŞI; are două sau mai multe intrări şi o singurii Funcţionarea sa se caracterizează prin: - ieşirea sa ia valoarea logică l dacă toate intrările iau simultan logică 1; - ieşirea sa ia valoarea logică O dacă una sau mai multe din intrările sttlij valoarea logică 0. Operatorul ŞI se reprezintă prin: - simbol matematic: • (punctul - înmulţirea) sau n (intersecţia); - simbol grafic: (vezi fig. 86); - ecuaţia logică: A • B • C = F, ecuaţie care se citeşte „F este egal cu A şi B', Operatorul NU. Circuitul electric care materializează funcţia logică N' engleză NOT) se numeşte operator NU sau inversor şi are o singură intrau singură ieşire. Funcţionarea sa se caracterizează prin: - ieşirea inversorului ia valoarea logică l dacă intrarea sa ia valoarea Ionii i j - ieşirea inversorului ia valoarea logică O numai dacă intrarea sa are vulow logică 1. Operatorul NU se reprezintă prin. - simbol matematic: Ă (bară orizontală deasupra variabilului); - simbol grafic (vezi fig. 86); - ecuaţia logică: A • Ă = 0.

!nilŞI-NU. Circuitul ŞI-NU (în englezăNAND) este echivalent unui l iu mat de un invcrsor.

uniunea la ieşirea unui astfel de circuit, în cazul a trei intrări, are expresia: F=A-B-C i nil aceşti operatori s-au construit diverse tipuri de porţi logice, 'lele integrate logice combinaţionale bipolare (construite pe bază de bipolare) sunt primele circuite integrate apărute şi în prezent larg i rnn/.istoarele cu efect de câmp cu poartă izolată de tip MOŞ au căpătat i de aplicaţii în ultimii ani, înlocuind tranzistoarele bipolare în unele h II formă integrată ele sunt, în multe privinţe, mai avantajoase decât ir i»* bipolare, în condiţiile în care sunt utilizate în circuite ca: memorii loarc (integrate), microprocesoare etc. • ce urmează se fac scurte referiri la unele din CI bipolare şi CI-MOS . Iii' laşi licărea circuitelor integrate după tehnologia de realizare. i IM• iiIIele RTL (Rezistor-Transistor-Logic) • ni ropia exactă a circuitelor logice realizate cu componente discrete, în r/intă o poartă ŞI-NU (NAND) cu trei intrări în tehnologia RTL. marele Rp R2, R3 au aceeaşi valoare R. Valorile lor, ca şi a rezistorului inii E, se aleg astfel încât tranzistorul R să nu fie deblocat decât dacă i itrări A, B, C sunt simultan la potenţial pozitiv, corespunzător nivelului ' i na din intrări este adusă la potenţial zero (nivel logic 0) celelalte două |Hiu-n(ial pozitiv (nivel logic 1), tranzistorul este blocat. Bineînţeles că, şi jll n an/istorul va fi blocat dacă două li llc sale sunt aduse la potenţial zero l ii l reia intrare se găseşte la poten-plliv Dacă toate trei intrările sunt la M nul, cu atât mai mult tranzistorul f fi lilnt al l h cultele RCTL (Rezistor-CapaciNiulNlor-Logic) u pi cvăzute în plus faţă de circuitele 'iiilrnsatoare legate în paralel cu * u1 k- ile intrare (menţionate cu linie i W In fig. 87) mărindu-leprin aceasta l«! Fig. 87- Circuite logice bipolare RTL/RCTL. comutaţie.

a

b

Fig. 88 - Circuite logice bipolare DCTL.

Circuite DCTL (Direct-Coupled-Transistor-Logic) Sunt circuite la care tranzistoarele sunt cuplate direct. Circuitul din fig. 88 a, în care tranzistoarele sunt cuplate în serie, funcţia ŞI-NU (NAND): aplicând în acelaşi timp pe bazele celor două tran/UI semnele pozitive, corespunzătoare nivelului logic l , tranzistoarele se dcnuh tensiunea la ieşire scade până la nivelul logic 0. Circuitul din fig. 88 b, în care tranzistoarele sunt conectate în piu* realizează funcţia SAU-NU (NOR); în lipsa semnalelor la cele două inlrflil (nivel logic 0), tranzistoarele sunt blocate şi ieşirea se găseşte la nivel logic l uneia din intrări i se aplică un semnal pozitiv, corespunzător nivelului ! OM tranzistorul respectiv se deschide şi la ieşire potenţialul scade la nivelul loijn Circuite DTL (Diode-Transistor-Logic) în figura 89 se prezintă un circuit ŞI-NU (NAND) în tehnologia DTL, n • funcţionare este următoarea: - când toate intrările (A, B, C) sunt la potenţial +E (nivel logic 1), cun trecând prin rezistorul R, nu poate traversa nici una din diodele D, (cătinii fiind la potenţialul +E). în schimb, acest curent poate traversa dioda D 2, pi astfel debloca tranzistorul T, în acest caz ieşirea circuitului se va găsi la un poli coborât (nivel logic 0); _

+

- dacă una din intrări ( A B sau C sau două din intr.ln toate trei) se găseşte la potenţii mesei (nivel logic 0), curenlnl i trece prin R se va închide la mii prin dioda de intrare respci li v nemaitrecând prin baza tru torului R, acesta se blochcii/S !

D1 «" ------— T*" Bo _ Co

—

D1 ^ ^

l

M

M

W

M W

'

E

(\

V!

D1 „.

Fig. 89 - Circuit logic bipolar DTL. ieşirea sa se găseşte la potent ui1 (nivel logic

1).

i' le D, trebuie *a (Ic de comuliijie, Ditulclc 1)3 io numesc diode de prag i i|H'nmihilc pentru u asigura u bunfl blocare a tranzistorului T când po 'i ni i se uplicfl nivel logic 0. nlrlu DTL prezintă următoarele avantaje: 1 li iculi/.utc cu un număr oricât de mare de intrări; ilili/cu/.ă numai o sursă de alimentare, +E, care în toate cazurile prac-i * MIIcu l S V; i u- li uşor realizat în varianta integrată, circuitul necomportând decât TTL (Transistor-Transistor-Logic) i Io variantele menţionate mai sus care pot fi realizate şi cu componente fu uruitele TTL nu pot fi realizate decât în variantă integrată, având în nil că în construcţia lor se foloseşte tranzistorul multiemitor. Tranzistorul |j>...... M este construit prin procedeele de difuzare standard, nefiind necesară .îl gravarea în oxid a numărului respectiv de orificii pentru emitor, în » urmează a fi difuzat, în fig. 90 apar doi emitori, deşi, dacă este cazul, !' estora poate creşte până la zece. Aria necesară pentru un tranzistor Minim nu este mult mai mare decât aceea pentru un tranzistor cu un singur u l ii ini liii circuitelor TTL se compune dintr-un mare număr de module inte-i u ă mică, medie, largă şi foarte larga. Numărul funcţiilor logice care pot Mit .'stc foarte mare; practic nu se utilizează decât un număr mic de funcţii icntare, pe baza cărora se poate implemenţa_orice funcţie logică. Uzual i cu funcţiile: SI(F, = A-B); ŞI-NU (F2 = Â^B); SAU-NU (F3 = ĂT1); l J (F4 = ÂB + C-D). •ura 90 se prezintă operatorul TTL ŞI-NU (NAND) cu două intrări l prin prezenţa la intrarea sa a tranzistorului multiemitor T,. Acest CI ! l"i îl la IPRS-Băneasa şi este de tip CDB-400. Fiecare joncţiune bază-emitor ii< 'iiilui T! formează o diodă; aceste diode, împreună cu rezistenţa R |; Imrsc o funcţie similară funculcior D! şi rezistenţei R din i porţii DTL (fig. 89). Jonc-hii/ă+5V colector a tranzistorului inilor joacă rolul uneia din D, din schema porţii DTL. ,111 ca de nivel realizată la •i ui DTL de cealaltă diodă D2 • Burată în cazul operatorului K1 joncţiunea bazăemitor a 'i torului T2, care îndeplineşte iii>i timp şi funcţia de ampli-||fni, comandând în contratimp fUlourele T şi T de la ieşirea Fig. 90 - Operator TTL ŞI-NU (CDB-4QO). ------------------------------------------------------------------------------------------- - u c c

TTLl In pun/fl unul din ucenic Imn/iHloHic cile blocat $1 celAliill l'Uiic(lonuica circuitului din lin W se explicfl astl'cl: dacfl una sau toulc intrările (emitoarele) Iran/.islorului T, se gflNCNC In ttiţ logic O (de exemplu 0,3 V), prin joncţiunea /joncţiunile cmilor-ba/fl alo licee un curent a cărui valoare depinde de mărimea re/.istcnţci R, şi tran/ixloiii)] intrA în conducţic; tensiunea colectorului T, fiind cu câţiva milivolţi inul MII ;lccAl tensiunea pe cmitorul lui, va ţine tranzistorul T2 blocat. Ba/a lui i'oncctată la t U^ prin R4, tranzistorul T3 va conduce (va fi saturat) si semnului j transmite la ieşire prin intermediul diodei D; baza tranzistorului T, polarizată, tranzistorul T4 va fi blocat. Ca atare, în situaţia: semnal logic O Iii inllM T2 şi T4 blocaţi, T3 saturat şi semnal la ieşire este logic l (de exemplu 11 f^), - dacă pe toate intrările (emitoarele lui T,) se aplică semnal logic l li exemplu +U cc ), joncţiunile emitor-bază ale tranzistorului T, vor fi blocal* joncţiunea bază-colector polarizându-se direct se injectează curent în ba/.n Iul r care începe să conducă. Potenţialul colectorului lui T 2 va scădea iar al emiliiiil| va creşte. Baza lui T4 fiind polarizată pozitiv, acest tranzistor va conduce, saturAitil se. Ca atare, în situaţia: semnal logic l pe intrări, T 2 şi T4 saturaţi, T, bloi-nl semnalul la ieşire este logic 0. în figura 91 se prezintă operatorul ŞI-SAU-NU (în ţară se realizea/ă CI tip CDB 450, CDB 451 şi CDB 451 H - operatori dubli ŞI-SAU-NU cu cflte i intrări). Acest circuit realizează funcţia logică: F = A-B + C-D.

«GND F/f, 91 - Circuit TTI. ŞI-SAU-NU (CDB 450): a - schema capsulei; b - schema de principii!

hi'init conexiunilor capsulei circuitului integrat ('l)Ii 450 culc dalfl in li K, |l ii huma electrica de principiu în fig. 91 b. Funcţionarea circuitului, si deci ln(iii'rt notai;! mai sus, poate fi dedusă pe baza următoarelor observaţii simple: 'Iiim/istorul T este în conducţic numai dacă tranzistoarele T 2 şi T 3 sunt Tmn/.istorul T2 este blocat dacă cel puţin una din intrările A, B se găseşte l lo^ic inferior, adică dacă A-B = O sau A-B = 1. Similar tranzistorul T 3 este blocat dacă cel puţin una din intrările C, D se i In nivel logic inferior, adică dacă C-D = O sau C-D = 1. Hc/ultă F = Ă^BOD = A-B + C-D. C'hTiiitcle TTL cu diode Schotky Suni circuite logice bipolare ultrarapide rezultate din seria rapidă a TTL prin ilurica unor diode Schotky de evitare a saturaţiei tranzistoarelor. în fig. 92 a Mlnlâ operatorul ŞI-NU din seria TTL cu dioda Schotky; iar în fig. 92 b, c, i i A reprezentarea în scheme a tranzistorului Schotky. Seria TTL cu diode v prezintă un timp de propagare de 3 ns la un consum foarte mic (aproximativ V pe operator). I*5V)

Fig. 92 - Circuit integrat TTL cu diode Schotky: a - operator ŞI-NU; b, c - reprezentarea în schemă a tranzistorului Schotky.

< l r ni l U1 liiti'ttnift' MOŞ cu CHIUI! n ţi p l a|fl do ('l bipolare, circuitele integrale MOŞ poscdfl o «cric de «v,n Circuitele integrale lip MOŞ suni simple, deoarece conţin numai Iun MOŞ, Iflrfl re/isloare sau condensatoare, ceea ce contribuie la creşleren îl de integrare pe pastila din următoarele considerente de ordin tehnic: 1. CI-MOS nu necesită izolarea unul de celălalt a tranzistoarelor M( >S pe acelaşi substrat, excepţie făcând numai tranzistoarele MOŞ complcmui» exemplu, în CI bipolare aproximativ 30% din suprafaţa utilă a pastilei esl» cu „insule de izolare" a componentelor schemei, ceea ce reduce sul densitatea pe „cip" a acestor circuite. 2. Rezistoarele folosite în CI bipolare, obţinute prin difuzie sau i 1 metalice în vid, ocupă suprafeţe mari. De exemplu, un rezistor difuzat di ocupă o suprafaţă de 0,2 mm2; în CI-MOS ca rezistoare se utilizează trm> MOŞ a căror suprafaţă este cu un ordin de mărime mai mică decât suprafaţ.i de rczistorul difuzat. - Tehnologia de realizare a CI-MOS e mai simplă decât tehnologia la CI bipolare. - Un CI-MOS înregistrează un consum mai redus de energie electi i dimensiuni mai mici comparativ cu un circuit echivalent realizat cu trai bipolare. - Amplificarea tranzistoarelor MOŞ este controlată prin dimensn geometrice; aceasta uşurează calculul circuitelor integrate MOŞ şi conh creşterea preciziei de realizare a configuraţiei suprafeţei lor. Primul CI-MOS (un circuit logic cu 16 tranzistoare MOŞ pe o p. siliciu cu dimensiunile 1,25 mm x 1,25 mm) a fost realizat în 1962; în pn ajuns la densităţi de integrare în domeniul CI-MOS de peste câteva mtranzistoare MOŞ pe l mm2, limita teoretică până la care se va ajunge pulaml i I milion tranzistoare pe l mm2. în figura 93 a este prezentat „inversorul MOŞ" care reprezintă circuili. bază utilizat în toate porţile logice. Este constituit din două TEC-MOS: traii/n> de comandă T, şi tranzistorul T2 care funcţionează ca rezistor de sarcină. Tran/m T, este blocat când la intrare se aplică o tensiune mai mică (în valoare

-UDD « uu

5ÎF. .ÂB ir

T4

F = A«B«C

J B—

1

Flg. V3

îl

Circuite integrate MOŞ: a - inversor MOŞ; b - operator ŞI-NU; c - operator SĂI l d - inversor cu tranzistoare MOŞ complementare.

dc prtig tJr|, fi ie nulurcu/ii m momentul in cure In intrure ic aplici - inul mure (în valoare iihsolutfl) ilecat tensiunea Ur i tutorii! ŞI-NU (NAND)serealizca/.ă prin legarea în scrie a tranzistoarclor in lig. 93 b. Tranzistorul T,, T2 acţionează ca tranzistoarc de comandă, iar •doi de sarcină. Când una sau toate intrările sunt la potenţial minim, nivel .m/isloarclc de comandă sunt blocate şi tensiunea de ieşire este apropiată " a 11 (nivel logic 1). Dacă intrările se găsesc la nivele logice l, tensiunea piiiţn scade la minim (nivel logic 0). lif'.ura 93 c este prezentat un operator SAU-NU (NOR) cu trei intrări, H iranzistoare MOŞ cu canal p indus. Tranzistoarele T,, T2, T3 acţionează .loarc dc comandă, iar T4 ca rezistenţă de sarcină. Când cele trei intrări i nk'iiţial minim, nivel logic O, tranzistoarele de comandă sunt blocate şi i la ieşire este apropiată de tensiunea UDD, nivel logic 1. Dacă una sau .u i le se găsesc la nive logic l, tensiunea la ieşirea porţii scade la valoarea : nivel logic 0). • t mitele integrate cu tranzistoare MOŞ complementare OS-MOS) '•sie circuite conţin tranzistoare MOŞ cu canale de ambele polarităţi pe pastilă de siliciu, conectate în serie. Schema circuitului inversor cu ' . M i r e MOŞ complementare (operatorul: inversorul COS-MOS) este ift în fig. 93 d. Sursa şi substratul tranzistorului T, sunt conectate la masă, c sursa şi substratul tranzistorului T2 sunt conectate la tensiunea pozitivă nlare +US. Cele două porţi sunt legate împreună şi formează intrarea ului; ieşirea o constituie drenele celor două tranzistoare. ţiul tensiunea de intrare este nulă (nivel logic 0) tensiunea între poartă şi in/istorului T2 (cu canal p) este egală şi de semn contrar cu tensiunea de n c (+US), care polarizează acest tranzistor în starea de conducţie, tranzistorul inul n) fiind blocat, deoarece tensiunea pe poarta lui este nulă. în acest caz M la ieşire este egală cu Us fiind la nivel logic 1. ind tensiunea de intrare este +US (nivel logic 1), tranzistorul T2 este blocat, induce; în această situaţie tensiunea la ieşire este minimă, corespunzătoare logic 0. • in legarea tranzistoarelor MOŞ cu canal n şi cu canal p în diverse scheme l'ţine de asemenea operatorii SAU-NU şi ŞI-NU. ('ircuite logice secvenţiale ucuitele care urmează a fi prezentate sunt de tip secvenţial ceea ce înseamnă i u o combinaţie dată a tensiunilor de intrare, tensiunea lor nu este neapărat • it.1; ca poate depinde de ceea ce s-a întâmplat înainte ca tensiunile de intrare vi la „configuraţia dată". nin am mai arătat, în cadrul acestor circuite digitale intră circuitele 'iile, registrele şi memoriile, toate având multiple aplicaţii în prelucrarea .'i a nformaţiei (tehnica de calcul). Vom trata în continuare pe scurt doar Ic basculante, întrucât ele stau la baza realizării atât a registrelor, a niemoU şi microprocesoarelor.

< ucullolt-biiNiuliinlc NIIIH circuite ctuo nu doufl f»lrtil diNtinoii .......
upă numărul stărilor distincte, circuitele basculante se clasifică In basrulaiitc bistabilc, circuite basculante monostabilc şi circuite basculante ,i Circuite basculante bistabile (flip-flop) Un circuit electric care prezintă două stări de echilibru stabile dil încadrează în categoria circuitelor basculante bistabile (CBB). CBB de bază este alcătuit din doi invertori cuplaţi încrucişat (fi|Dacă T, este iniţial în conducţie (saturat) prin aplicarea unui semnal pn ba/a sa, colectorul său va fi la potenţialul V = 0,2 - 0,4 V (nivel h Deoarece baza lui T2 trece în starea de blocare şi colectorul lui T2 tinde s, valoarea Ucc (nivel logic 1). Aceasta măreşte semnalul pozitiv aplicat in baza lui T, şi apoi, îndepărtând semnalul iniţial, circuitul menţine în conţin T, în starea de conducţie, iar pe T 2 blocat o perioadă nedefinită. Aplicând acum un semnal pozitiv în baza lui T 2, acesta intră în condwţli stările celor doi tranzistori se inversează: T 2 conduce (saturat) şi T, se rezultând a doua stare stabilă.

"ÎTo Fig. 94 C'ircuite baculante: a, b - scheme electrice de CBB cu componente discrete; c - «lin1 pentru CHM integrat tip R-S realizat cu 2 circuite ŞI-NU (NAND); d - simbol pentru CBB iniei l i p K-S realizat cu 2 circuite SAU-NU (NOR): e - simbol pentru CMB integrat.

" i nrtflgurntln conven|ion«lft M realizează un circuit mai funcţional pun .1 n doi rczinlori R„ în ba/a şi prin două intrări de comandă (fig. *W b). l( 10 R(. circuitul funcţionca/.ă analog cu cel din fig. 94 a, iar semnalele 1 ) >' Q' -" CT(Q = ieşire ncinvcrsată, iarTJ = ieşire inversată) au un salt de .iproximativ egal cu: Vcc - CCE(sat). Pentru Vcc = 5 V, rezultă saltul de «Ir circa 4,5 V. Practic această valoare este mai scăzută (3,8 - 4,2 V) livi/orului rczistor RBRC şi curentul debitat în sarcină. CBB TTL cu Vcc = n salt al tensiunii de ieşire tipic de 3,5 V. Tiisiunc pozitivă sau un puls aplicat la intrarea S (în engleză: set = punere ) i ulică ieşirea Q la valoarea cea mai pozitivă a tensiunii sau starea logică iiine pozitivă sau un puls aplicat la intrarea R (în engleză: rest = punere la •i»ar;1, la ieşirea Q, tensiunea la valoarea cea mai mică sau starea logică 0. • • i nitul descris este un bistabil de tip zăvor (latch) care basculează numai l impuls dintr-o succesiune de impulsuri aplicat la intrare, i Iară de circuitul basculant bistabil de tip zăvor, există patru tipuri de bază l), T, RS şi J-K. ili/,at în tehnică integrată, un CBB poate fi compus (fig. 94 c şi fig. 94 d) fie: Un două circuite ŞI-NU (NAND); i u i două circuite SAU-NU (NOR). a-rea într-o anumită stare poate fi determinată fie de semnalul care prezintă 1.1 ce trebuie înscrisă în bistabil, fie de un semnal numit de ceas (clock) i întâi în scheme, CL sau T, care determină comutarea în funcţie de semnalul i Ic de informaţie notate prin R, S, D, J, K. l inura 94 d, se prezintă schema bloc a unui circuit basculant R-S realizat • ncuite NOR. Explicarea funcţionării este simplă dacă se reaminteşte că l NOR cu două intrări nu furnizează tensiune la ieşirea sa decât dacă are 'l'.ice O, simultan pe cele două intrări ale lui. în acest caz, fiecare circuit ind una din intrări la nivel logic O, joacă rolul unui inversor. Dacă acum pe '-i se aplică nivelul logic l, automat ieşiea Q devine zeră (în afara cazului ,i se găsea deja în această stare), zero ce se transmite prin bucla de reacţie .1 circuitului NOR 2, ceea ce produce apariţia unui nivel logic l pe ieşirea ••st caz, literele R şi S nu au bare deasupra lor, deoarece, pentru basculare, .icţionează cu nivel logic l. i itru CBS R-S cu două circuite NAND (fig. 94 c), barele aplicate variabilelor ,u e atrag atenţia asupra faptului că nivelul coborâtor este cel activ, cu alte .larca dorită la ieşire se obţine aplicând pe intrare nivel logic 0. • rcuite basculante monostabile (CBM) rste circuite basculante sunt caracterizate prin două stări, dintre care una ,u alta instabilă. Starea stabilă se menţine atâta timp cât din afară nu se •i semnal. Când se aplică din exterior un semnal adecvat, CBM îşi schimbă isâ numai pentru o perioadă de timp determinată de constantele proprii MI respectiv, ca după aceea să revină singur în starea iniţială stabilă. CBMi >loscsc frecvent ca elemente de memorie temporară, dispozitive de marcare de timp, ca elemente de întârziere a unor impulsuri standardi/.ate sau '•ncrarea unor impulsuri de scurtă durată.

fn figura 94 e, *e pro/inlfl o «chemi de monoMinhll ronli/ntfl cu porţi Ini (do lipul ( ' l ) U 400 l i ) l''unc|ionurca circuitului cslc urmAloarea: pentru A re/uIlA I i i ) l. Dacă A (rece în l, l) (rece în O, dar dalorilA întAr/.icril il>H( circuitul KC, punctul I) mai rămâne în l pe durata, t RC, de desert' • condensatorului; în acest interval t, ieşirea rămâne pe O, revenind apoi în l ajunge hi nivelul logic 0. Circuite basculante astabile (CBA) Aceste circuite, numite şi multivibratoare, sunt caracterizate prin din ambele instabile; trecerea dintr-o stare în alta se face fără semnale apli< exterior, la momente de timp determinate de parametrii circuitului. ('HA fapt un oscilator carp produce semnale dreptunghiulare la ieşirea sa, având ,i largi în tehnica circuitelor logice, fiind utilizat pentru generarea semnul sincronizare sau tact (clock). CBA se poate realiza legând în reacţie un impar de circuite inversoare. Circuite integrate liniare (analogice) Circuitele integrate care vor fi analizate în cele ce urmează se do fundamental de circuitele integrate logice unde semnalele de intrare şi iet?i sub forma unor impulsuri sau nivele de tensiune, prin aceea că semnalele > în general din tensiuni continuu variabile, în aceste circuite are loc o ani|n (sau o comparare) a semnalelor de la intrare, de aceea circuitele integrate Hfli (sau analogice) sunt în general circuite amplificatoare. Posibilităţile actuale ale tehnicii planar pe siliciu permit realizarea unei ga largi de CI liniare, clasificarea lor făcându-se după domeniul şi modul lor de foliei Astfel, după domeniul de utilizare, principalele tipuri de CI liniare se pot cliujf în următoarele categorii' 1. CI amplificatoare operaţionale sunt amplificatoare de curent o (realizate pe un singur cip) care datorită parametrilor de intrare şi ieşire bui folosite (ca amplificatoare de bandă largă, integratoare analogice, ampli li de eroare, comparatoare, oscilatoare, filtre active) în echipamentele ind (inclusiv în aparatura medicală) şi din ce în ce mai mult şi în aparatura n HoctroiiK'A se pol n-tili/a scheme divcrtic, cu un iniiiiAi de component* ut şi cu CHHK Inislici simţitor îmbunătăţite (de exemplu: scheme de i lensinnii, amplificatoare de curent alternativ, integratoare analogice, olc.). în llg. 97 a, b, c este prezentată schema electrică detaliată a MMii nliniilui operaţional integrat PA 741 precum şi configuraţia terminalelor a l li|nin de încapsulări, în fig. 97 d este prezentată ca exemplu o schemă de iilor final de putere care utilizează un amplificator operaţional

I

o Ieşire

de tip

-20 v 20V

ovs

Offset

N.C.I 14

12 11 10 9 8

^ MIM

ZlN.C. ZJN.C. Z1N.C.

INVI NI ÎNV O 5 Z] IEŞIRE ZlOFFSET

N.C.CZ7 Z1M.C.

OFFSET / f ÎNV (?2

\ 6