TP 02 Amplificateur À Transistor [PDF]

Zitiervorschau

République Algérienne Démocratique et Populaire Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique Université de Souk Ahras Faculté des Sciences et de la Technologie Département ST L3 Maintenance TP Electronique Appliquée

TP : Amplificateur à Transistor FET NB : Vous rédigerez un compte- rendu manuscrit qui répond aux questions de l’étude théorique et pratique. Vous utiliserez le logiciel Proteus pour réaliser le TP. I) BUT DU TP 1. Comprendre la fonction amplification. 2. Mise en œuvre d’un amplificateur basse fréquence à émetteur commun 3. Détermination des caractéristiques d’un montage émetteur commun (gain en tension, résistance d’entrée, résistance de sortie, tension de distorsion, bande passante).

II) ETUDE THEORIQUE: Un peu de recherche : 1. Qu’elles sont les zones de fonctionnement d’un transistor FET, précisez les valeurs prises par 𝑉𝑔𝑠, 𝐼𝐷 𝑒𝑡 𝑉𝐷𝑆 pour chaque région? 2. Expliquer l’effet de champ 3. Donner le schéma équivalant du transistor dans le régime des petits signaux 4. Quelle est le rôle de l’amplification ? 5. Expliquez le phénomène de distorsion ?

Un peu de calcule : 1. Dans la figure ci-contre, quelle est la valeur de 𝑅𝑒 quant 𝑉’𝑒 égal à 𝑉𝑒/2 (principe de la méthode de demi-déviation pour mesurer une résistance)? 2. Soit le montage de la figure 2. a) Etude statique :

VCC 20V

1. Donner le circuit équivalant en régime statique. 2. Déterminer le point de fonctionnement du transistor.

R4

R3

1MOhm

3.6KOhm

C2 3

Q1

C1

b) Etude dynamique: 1. Donner le schéma équivalant du circuit en régime dynamique. 2. Déterminer les expressions ainsi que les valeurs des grandeurs suivantes : • résistances d’entrée et de sortie 𝑅𝑒, 𝑅𝑠, • Gain en tension 𝐴𝑣 et en courant𝐴𝐼 . R4=R1=1M; R3= 3.6K ;R2=10K ;VCC=20V

3.3u

VN2222

2 3.3u

Ve

R1

Vs

1

1MOhm

R2 10KOhm

C3 3.3u

Figure 2: Schéma électrique de l’amplificateur à source commune 1|Préparé Par : T. Bouadjila

III) PARTIE PRATIQUE: Réaliser le montage de la figure 2. a) Etude statique • Mesurer les valeurs du point de fonctionnement du transistor (𝑉𝐷𝑆0 , 𝑉𝐺𝑆0 , 𝐼𝐷0 ). b) Etude dynamique •

Placer un GBF à l’entrée de l’amplificateur réglé sur une fréquence de 1KHz et relever le signal de sortie sur l’oscilloscope, pour chaque valeurs de la tension d’entrée, remplir le tableau ci-après.

• • •

1 10 50 100 𝑉𝑒 (𝑚𝑉) 𝑉𝑠 (𝑉) 𝐴𝑉 = 𝑉𝑠 /𝑉𝑒 Déterminer le gain en tension mesuré Déduire le déphasage entre l’entrée et la sortie de cet amplificateur. Déduire la tension maximale (𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥) a partir du quelle le signal de sortie commence à distorde

c) Mesure de résistance d’entrée et de sortie : En utilisant la méthode de la demi-déviation (tension moitié) expliquée précédemment, mesurer la résistance d’entrée et la résistance de sortie. d) Courbe de réponse en fréquence •

Mesurer pour chaque fréquence, la sortie Vs et remplir le tableau ci-après en vérifiant à chaque fois que Ve ne varie pas 𝐹(𝐻𝑧)

2

4

6

8

10

100

500

103

10.103

100.103

106

2.106

3.106

𝑉𝑠(𝑉𝑜𝑙𝑡) 𝐺(𝑑𝑏) •

Tracer sur un papier semi logarithmique la réponse en fréquence de cet amplificateur

•

Déterminer les fréquences de coupure basse et haute à -3db de cet amplificateur

V) Conclusion •

Faire une étude comparative entre les valeurs calculés en théorie et celles mesurées en pratique (𝑅𝑒, 𝑅𝑠, 𝐴𝑣, . . . ).

•

Quelles sont les avantages et les inconvénients de l’amplificateur émetteur commun ?

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