Laboratorul 5.CDE [PDF]

Zitiervorschau

MINISTERUL EDUCAŢIEI, CULTURII ȘI CERCETĂRII AL REPUBLICII MOLDOVA UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI Facultatea Calculatoare, Informatică şi Microelectronică Departamentul Microelectronică și Inginerie Biomedicală

REFERAT la lucrarea de laborator nr.6 Tema: „Studierea etajelor amplificatoare cu

tranzistoare” Disciplina: „Circuite și dispozitive electronice”

A elaborat A verificat

st. gr.IBM-91, Lesan Natalia lect. univ., Ababii Nicolai

Chișinău 2020

Scopul lucrării: ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiune cu baza comuna(BC) si cu emitorul comun (EC) si determinarea parametrilor semnalelor mici,,h”.

Tabelul 5.1 UEB,, mV UCB= IE ,

0V

m A

UCB=

400

440

460

480

560

577

594

622

700

750

0

0

0

0

0

0.01

0.02

0.08

1.61

8.06

23.1

0

0

0

0

0

0.01

0.03

0.08

1.70

8.75

29.1

-5 V

Caracteristica de intrare a tranzistorul bipolar in conexiune BC 35 30 25 20 15 10 5 0 350

400

450

h11b = 15/10 = 1,5 (ohmi)

500

550

600

650

700

750

800

850

800

Tabelul 5.2 UCB, V IE= IC , mA

0

2

4

6

8

10

12

14

5.07

5.07

5.08

5.08

5.09

5.09

5.10

5.11

10.4

10.4

10.4

10.4

10.4

10.4

10.4

10.4

5.0 mA IE= 10 mA

Caracteristica de iesire a tranzistorul bipolar in conexiune BC 35 30 25 20 15 10 5 0

0

2

h12b = 0,04 (ohmi)

4

6

8

10

12

Tabelul 5.3 UBE, V

400

UCE= IB,

440

460

480

560

579

598

632

700

750

800

0

0

0

0

0

0

0.01

0.03

0.26

0.68

1.22

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0.04

0.24

0V

m UCE= A -5 V

Caracteristica de intrare a tranzistorul bipolar in conexiune EC 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 350

400

450

500

550

600

650

700

750

800

850

6

8

10

h11E = 50/0,6 = 83,3 (ohmi) Tabelul 5.4 UCE, V

0

0,5

1

1,5

2

3

4

12

IB= IC,

100μA

m A

IB=

0.06

0.94

0.94

0.95

0.95

0.97

0.98

1

1.03

1.05

1.07

0.09

4.26

4.29

4.32

4.35

4.40

4.45

4.55

4.66

4.77

4.88

200 μA

Caracteristica de iesire a tranzistorul bipolar in conexiune EC 6 5 4 3 2 1 0

0

2

h21E = 2 (ohmi)

Concluzie:

4

6

8

10

12

14

In urma realizarii acestei lucrari de laborator am analizat principiile de functionare a tranzistorului bipolar, am determinat caracteristicile statice si parametrul h a tranzistorului bipolar in conexiunea cu baza comuna (BC) si cu emitorul comun (EC). Pot concluziona ca caracteristica statica de iesire a ambelor conexiuni trebuie sa fie liniii practic paralele, la nivele fixate de valoarea parametrilor Ib si Ic. In practica, datorita simplificarilor introduse in modelul matematic si a erorilor comise la preluarea datelor, apar abateri de la forma ideala.