Lab CDE 5 [PDF]

Zitiervorschau

MINISTERUL EDUCAŢIEI, CULTURII ȘI CERCETĂRII AL REPUBLICII MOLDOVA UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI Facultatea Calculatoare, Informatică şi Microelectronică Departamentul Microelectronică și Inginerie Biomedicală

RAPORT la lucrarea de laborator nr.5 Tema: „Studierea tranzistoarelor bipolare” Disciplina: „Circuite și dispozitive electronice”

A elaborat

st. gr.IBM-181, Țurcan Ilie

A verificat

lect. univ., Ababii Nicolai

Chișinău 2019

Scopul lucrării: Determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiunea cu baza comuna si cu emitorul comun si calcularea parametrilor “h” pentru semnale mici. Descrierea machetei de laborator

Schema pentru ridicarea experimentala a caracteristicilor statice a tranzistorului bipolar in conexiunea BC.

Schema pentru ridicarea experimentala a caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiunea EC.

IE, mA

UEB, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280 UCB=0 0 0 0 0.1 0.1 0.4 0.5 1.1 4 9 19 UCB= -5V 0 0 0 0 0.1 0.3 0.7 2.1 7 16 24 Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului bipolar in conexiune BC.

IC, mA

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului bipolar in conexiune BC. UCB, V IE=5 mA IE=10 mA

0 4.8 9.6

2 4.9 9.8

4 5 9.8

6 5 9.8

8 5.1 9.9

10 5.1 10

12 5.3 10

14 5.3 10.1

IB, mA

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului bipolar in conexiune EC. UBE, mV UCE=0 UCE= -5V

20 0 0

40 0 0

60 0 0

80 0 0

100 0 0

120 0.1 0

140 0.1 0

160 0.3 0

200 0.7 0

240 280 1.3 2.15 0.1 0.3

IB, mA

UCE, mV 0 0.5 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12 IB=200 µA 0.1 0.6 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.8 0.8 0.8 IB=300 µA 0.2 1.5 1.5 1.5 1.5 1.6 1.6 1.7 1.8 1.9 2 Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului bipolar in conexiune EC.

Concluzie:In urma efectuarii lucrarii de laborator am determinat caracteristicile statice a tranzistoarelor bipolare in conexiunea BC si EC si am reprezentat grafic caracteristicile de intrare si iesire a tranzistoarelor studiate.