JFET POLARISATION DIVISEUR Suite [PDF]

Zitiervorschau

JFET POLARISATION DIVISEUR

JFET POL. DIVISEUR (Effet de RS)

Approximations pour le calcul de la polarisation  Polarisation automatique  RS est mis égal à RDS  Dans ces conditions,

 Polarisation par diviseur de tension  La tension du diviseur, VG, est choisie >> VGS

FET Modèle petit signal : gm

Transconductance Transconductance

(

gm = gm0 1-

VGS VGS(off)

Pente max gm0 8

)

6

pente élevée

4 ID en mA 2

-4

-3 Pente min

-2

-1 VGSen volts

0

FET Modèle petit signal : gm

Gm : Équation

Gm : Courbe

FET Modèle petit signal

Amplif. JFET Source commune

On détermine gm à partir des valeurs de VGS et de ID calculés à partir du point de polarisation Q

Exemple

Transistors MOSFET  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  Grille est formée d’une couche métallique déposée sur une couche d’isolant  L’effet condensateur de la grille est responsable de la très grande résistance  Intégration facilitée pour la construction de circuits intégrés à grande densité

MOSFET à appauvrissement de canal

 opération

MOSFET à Enrichissement, CANAL N Lorsque VGS = 0V, le canal n’existe pas et ID =0 Isolant

Si on applique VGS > 0V, la grille devient positive et les trous sont repoussés pour former une zone d’appauvrissement. Les électrons du substrat P se collent à la grille formant une amorce de canal N Si on applique VDS > 0V, les électrons du pôle N de la source S seront attirés dans e canal vers le drain D et un courant ID = IS circulera.

Isolant

Le canal se rétrécit à cause de la tension inverse VDG qui augmente à mesure qu’on s’approche du drain. Même phénomène que pour le JFET.

Il faut une tension minimale de seuil VGS = VT pour que le courant ID puisse circuler. La tension VDSsat pour laquelle il y aura étranglement du canal est donnée par :

Les points VDSsat se trouvent sur une parabole Zone de saturation : VGS > VT et VDS > VDSsat

Zone de blocage : VGS ≤ VT et ID = 0 Courbe caractéristique de sortie MOSFET N Enrich. : Courbe de transfert

SYMBOLE MOSFET

D : Drain G : Grille (« Gate ») S : Source

Résumé MOSFET N, Enrich