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JFET POLARISATION DIVISEUR
JFET POL. DIVISEUR (Effet de RS)
Approximations pour le calcul de la polarisation Polarisation automatique RS est mis égal à RDS Dans ces conditions,
Polarisation par diviseur de tension La tension du diviseur, VG, est choisie >> VGS
FET Modèle petit signal : gm
Transconductance Transconductance
(
gm = gm0 1-
VGS VGS(off)
Pente max gm0 8
)
6
pente élevée
4 ID en mA 2
-4
-3 Pente min
-2
-1 VGSen volts
0
FET Modèle petit signal : gm
Gm : Équation
Gm : Courbe
FET Modèle petit signal
Amplif. JFET Source commune
On détermine gm à partir des valeurs de VGS et de ID calculés à partir du point de polarisation Q
Exemple
Transistors MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Grille est formée d’une couche métallique déposée sur une couche d’isolant L’effet condensateur de la grille est responsable de la très grande résistance Intégration facilitée pour la construction de circuits intégrés à grande densité
MOSFET à appauvrissement de canal
opération
MOSFET à Enrichissement, CANAL N Lorsque VGS = 0V, le canal n’existe pas et ID =0 Isolant
Si on applique VGS > 0V, la grille devient positive et les trous sont repoussés pour former une zone d’appauvrissement. Les électrons du substrat P se collent à la grille formant une amorce de canal N Si on applique VDS > 0V, les électrons du pôle N de la source S seront attirés dans e canal vers le drain D et un courant ID = IS circulera.
Isolant
Le canal se rétrécit à cause de la tension inverse VDG qui augmente à mesure qu’on s’approche du drain. Même phénomène que pour le JFET.
Il faut une tension minimale de seuil VGS = VT pour que le courant ID puisse circuler. La tension VDSsat pour laquelle il y aura étranglement du canal est donnée par :
Les points VDSsat se trouvent sur une parabole Zone de saturation : VGS > VT et VDS > VDSsat
Zone de blocage : VGS ≤ VT et ID = 0 Courbe caractéristique de sortie MOSFET N Enrich. : Courbe de transfert
SYMBOLE MOSFET
D : Drain G : Grille (« Gate ») S : Source
Résumé MOSFET N, Enrich