Explique El Efecto de La Temperatura en Los Transistores BJT y MOSFET [PDF]

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Explique el efecto de la temperatura en los transistores BJT y MOSFET

el voltaje en los terminales de la union entre emisor y base decrece en unos 2 mV por cada 1°c de calentamiento, siempre que la unión opere a corrientes constantes. en la figura se muestra la dependencia de temperatura al describir curvas ic-vBE a tres Temperaturas diferentes para un transistor npn.

Para que se polariza un circuito amplificador monoetapa? ¿Cuál es la relación entre la polarización y el punto de trabajo o de operación Q del transistor?

se entiende por polarizacion del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar con DC para que pueda funcionar correctamente que obligue al transistor a trabajar en la parte de la curva que uno desea Polarización es coger una señal y aplicarle una fuente DC para tarsladarla al punto de trabajo Q Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

Cual es la importancia de que en un circuito amplificador la amplitud de la señal a amplificar se encuetnre acotada en un intervalo pequeño? La amplitud de la señal a amplificar debe estar acotada en un intervalo pequeño debido a que el transistor llegara a un punto en el que no amplificara mas porque se satura y quedara la amplitud de salida constante después de x valor.

Explique que son los transistores JFET y MESFET y describa su funcionamiento, semejanzas y diferencias con los MOSFET El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar. se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente

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los JFET son dispositivos controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.

Ventajas del JFET: 1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada ( a Ω). 2) Los JFET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los JFET son más estables con la temperatura que los BJT. 4) Los JFET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un C1. 5) Los JFET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los JFET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento. 7) Los JFET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Desventajas que limitan la utilización de los JFET: 1) Los JFET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los JFET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los JFET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

Transistor de union metal-semiconductor MESFET

puede operar en frecuencias muy altas, en la region de las microondas. el electrodo de puerta esta formado por una union metal-semiconductor son construidos a partir de arseniuro de galio en lugar de silicio.

Ventajas mosfet vs bjt

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Consumo en modo estático muy bajo.

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Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).

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Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.

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Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.

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Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.

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La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.

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Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.