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Elément de module: Électronique analogique
GTI
Chapitre 4 Transistor bipolaire
Prof .GUENNOUNI Nasr
Année Universitaire: 2020-2021
Transistor en mode statique
Plan
❑ Introduction ❑ Caractéristiques statiques ❑ Polarisation du transistor Transistor en mode dynamique ❑ Introduction ❑ Schéma équivalent ❑ Montages amplificateurs
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Transistor en mode statique Introduction Le transistor est un composant électronique composé de 3 électrodes : le Collecteur ( C ) , l’Emetteur ( E ) et la Base ( B ).
Il véhicule un fort courant collecteur à partir d’un faible courant de base ( Ic >> IB ).
On définit l’amplification statique en courant :
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Transistor en mode statique Réseaux des caractéristiques statiques d’un transistor
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Transistor en mode statique Polarisation du transistor La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone linéaire de ses caractéristiques. Pour cela on applique sur les trois électrodes du transistor des potentiels continues de valeurs convenables. Le point de fonctionnement est fixé par les valeurs de IB et VBE (caractéristiques d'entrée) et les valeurs de IC et VCE (caractéristiques de sortie).
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Transistor en mode statique Polarisation du transistor Droite d’attaque statique : L’intersection de cette droite avec la caractéristique d’entrée du transistor donne le point Droite de charge statique : L’intersection de cette droite avec la caractéristique de sortie du transistor donne le point
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Transistor en mode statique Polarisation du transistor
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Transistor en mode statique Polarisation du transistor Polarisation par résistance de base
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Transistor en mode statique Polarisation du transistor Polarisation par résistance entre base et collecteur
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Transistor en mode statique Polarisation du transistor Polarisation par pont de résistances de base
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Transistor en mode statique Polarisation du transistor Exercice d’application On considère le montage suivant avec un transistor npn de gain en courant statique e β=100 et la tension entre la base et l'émetteur est de 0,7V • On désire avoir un courant de 100 mA dans la charge RL, quelle valeur de résistance RB faut il choisir? • Si on fait varier RB alors IB varie et donc IC varie aussi. Quelle est la valeur maximale qu'on peut obtenir pour IC (transistor saturé)? • Quelle est la valeur minimale de RB pour saturer le transistor
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Transistor en mode statique Correction
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Transistor en mode dynamique Introduction En régime dynamique, les grandeurs d’entrée et de sortie résultent de la superposition de grandeurs continues ou statiques (VBE0 , IB0 , IC0 et VCE0 ) et de grandeurs alternatives qui sont l’effet de source alternative.
Grandeur variable = Grandeur continue + Grandeur alternative
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Transistor en mode dynamique Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux
❑ Le point de repos étant défini par les valeurs VBE0 , IB0 , IC0 et VCE0 qui correspondent à 4 points fixes sur le réseau des caractéristiques statiques. ❑ Lorsque les petits variations alternatives autour du point de repos sont respectivement vbe , ib , ic et vce ; on peut écrire :
❑ Les hij sont appelés paramètres hybrides du transistor monté en émetteur commun. Ces paramètres sont déterminés graphiquement sur le réseau des caractéristiques du transistor autour du point de repos.
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Transistor en mode dynamique Détermination des paramètres hybrides du transistor
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Transistor en mode dynamique Détermination des paramètres hybrides du transistor Connaissant ces paramètres, on peut tracer le schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux basses fréquences.
En pratique μ est de très faible valeur donc la source de tension μvce est souvent négligée.
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Transistor en mode dynamique Montages amplificateurs Amplificateur à transistor monté en Emetteur commun
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Transistor en mode dynamique Montages amplificateurs Amplificateur émetteur commun à charge répartie (Résistance émetteur non découplée)
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Transistor en mode dynamique Montages amplificateurs Amplificateur à transistor monté en collecteur commun
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Transistor en mode dynamique Montages amplificateurs Amplificateur à transistor monté en base commune
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